Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0402/29812.html    Veröffentlicht: 18.02.2004 10:16    Kurz-URL: https://glm.io/29812

Intel: Neue Technik soll Speicherbandbreite erhöhen

Im Test bis zu 3,6 GBit/s pro Pin übertragen

Intel arbeitet an einem neue6n schnellen Verbindungsschema für DRAM, berichtet die US-Site EETimes. Die neue Technik soll sich zusammen mit DDR- und DDR2-Speicherchips nutzen lassen, aber höhere Kapazitäten und Geschwindigkeiten erlauben.

Dabei sollen eine Reihe von neuen Techniken in den Transmitter- und Empfänger-Schaltkreisen zum Einsatz kommen, die etwa simultane, bidirektionale Transaktionen über eine einzelne Drahtverbindung ermöglichen.

Darüber hinaus setzt Intel auf Point-to-Point-Verbindungen statt wie derzeit auf einen Multidrop-Bus, der von allen DRAMs in einem Verbindungssegment geteilt wird. Mit 1,4-V-Point-to-Point-Links habe Intel so Transferraten von 3,6 GBit/s pro Pin erzielt, will das Schema aber auf einfache Weise auf große Zahlen von Pins ausweiten können.

Intel arbeitet dabei laut EETimes mit Infineon und Samsung zusammen, die ebenfalls entsprechende Testchips gefertigt haben.  (ji)


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Links zum Artikel:
Infineon Technologies (.com): http://www.infineon.com
Intel (.com): http://www.intel.com
Samsung Electronics (.com) - Semiconductors: http://www.samsungelectronics.com/semiconductors/

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