Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0401/29135.html    Veröffentlicht: 07.01.2004 11:29    Kurz-URL: https://glm.io/29135

Infineon steigt in den Flash-Speichermarkt ein

Flash-Speicher wird mit vorhandenem Equipment gefertigt

Infineon kündigte jetzt den ersten NAND-kompatiblen Flash-Chip auf Basis von Saifuns TwinFlash-Technologie an. Entwickelt wurde der 512-MBit-Flash-Speicherchip von der Infineon Technologies Flash GmbH & Co. KG, einem Joint Venture von Infineon Technologies und Saifun Semiconductors. Die ersten Produkte werden bereits in Infineons 200-mm-DRAM-Fabrik in Dresden gefertigt.

"Durch die Ergänzung um Flash-Produkte baut Infineon sein Speicherproduktportfolio wesentlich aus und kann seine Speicherproduktion nun flexibel zwischen DRAM und Flash aufteilen", erläuterte Dr. Harald Eggers, Leiter des Geschäftsbereiches für Speicherprodukte bei Infineon. "Die TwinFlash-Technologie erlaubt uns die Produktion von Flash-Speichern auf vorhandenem Equipment aus der DRAM-Fertigung und damit den Einstieg in einen neuen Markt ohne wesentliche Investitionen in zusätzliche Produktionsanlagen."

TwinFlash basiert auf Saifuns NROM-(Nitrided-Read-Only-Memory-)Technologie, einer nichtflüchtigen Speichertechnologie, die von Saifun entwickelt wurde und in den letzten Jahren bereits als Basis für NOR-Flashs und EEPROMs genutzt wurde. Bei dieser Technologie werden zwei (Twin) separate Bits in einer Transistorzelle gespeichert. Im Gegensatz zu vergleichbaren Floating-Gate-Technologien mit nur einem Bit pro Zelle und äquivalenten Prozess-Strukturen bietet TwinFlash auf Grund der Speichertechnik mit 2 Bits/Zelle um 40 Prozent kleinere Chip-Abmessungen und weniger Belichtungsmasken, woraus sich äußerst konkurrenzfähige Produktionskosten ergeben sollen.

Bis Ende 2004 sind mehr als 10.000 Wafer pro Monat auf Basis der 170-nm-Technologie geplant. Die nächste TwinFlash-Generation mit Strukturen von nur 110 nm befindet sich bereits in Entwicklung. Damit will Infineon die Kostenposition noch weiter verbessern und höhere Dichten mit bis zu 2 GBit realisieren.

Der 512-MBit-Flash-Speicherchip wird im TSOP-Gehäuse angeboten und zielt auf den Halbleiter-Wechselspeichermarkt mit Produkten wie SD, MMC und Compact-Flash-Karten oder Memory-Sticks, die hauptsächlich in Digitalkameras und PDAs verwendet werden, ab.  (ji)


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Links zum Artikel:
Infineon Technologies (.com): http://www.infineon.com
Saifun (.com): http://www.saifun.com

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