Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0311/28385.html    Veröffentlicht: 07.11.2003 09:40    Kurz-URL: https://glm.io/28385

Forscher entwickeln schnellen Transistor mit 509 GHz

Neue Transistoren sollen schnellere Chips ermöglichen

Forscher an der Universität von Illinois in Urbana-Champaign haben ihren eigenen Rekord gebrochen und erneut den schnellsten Transistor der Welt entwickelt. Der neue Transistor arbeitet mit einer Frequenz von 509 GHz, 57 GHz schneller als der zuletzt von den Forschern präsentierte schnellste Transistor.

Entwickelt wurde der schnelle Transistor von Milton Feng, Professor an der Universität von Illinois, sowie den Studenten Walid Hafez und Jie-Wei Lai. Im Gegensatz zu herkömmlichen Transistoren, die aus Silizium und Germanium gefertigt werden, besteht der schnelle Transistor der drei Forscher aus Indium-Phosphid und Indium-Galliumarsenid. Dieses Material ist deutlich schneller als Silizium-Germanium und erlaubt höhere Ladungsdichten. So ist es möglich, mit kleineren Komponenten den Transistor schneller zu laden und zu entladen, was zu höheren Geschwindigkeiten führt.

Gefertigt wurde der Transistor mit einer Strukturbreite von 75 Nanometern, der über eine Mikro-Bridge angebunden wird, was ihn nochmals kleiner macht. Die Forscher gehen aber davon aus, im weiteren Verlauf ihrer Arbeit noch deutlich höhere Taktfrequenzen zu erreichen.

Der neue Transistor könnte unter anderem in High-Speed-Kommunikationsprodukten, in Unterhaltungselektronikgeräten sowie elektronischen Waffensystemen eingesetzt werden.  (ji)


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