Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0311/28343.html    Veröffentlicht: 05.11.2003 15:10    Kurz-URL: https://glm.io/28343

Intel auf dem Weg zu 45-Nanometer-Chips

Neue Materialien sollen Ladungsverluste verringern

Intel will mit neuen Materialien schnellere Chips bauen und damit Materialien ersetzen, die seit 30 Jahren in der Halbleiterfertigung verwendet werden. Vor allem die immer größer werdenden Probleme mit dem Verlust elektrischer Ladungen (Leakage) in Transistoren will Intel auf diesem Wege besser in den Griff bekommen.

Die Intel-Forscher verwenden dabei ein "High-K" getauftes Material zur Isolierung der Transistoren sowie neue Metalle für die Gatter. Das neue Isolator-Material soll den Verlust an elektrischen Ladungen auf etwa ein Hundertstel reduzieren, kann aber mit heutigen Transistor-Materialien nicht verwendet werden. Diesem Problem will Intel mit den neuen Transistor-Gatter-Materialien begegnen.

Entsprechende Chips verbrauchen so weniger Strom und geben auch weniger Wärme an die Umgebung ab. Intel will die neuen Transistoren in Kombination mit anderen neuen Techniken wie "Strained Silicon" und Tri-Gate-Transistoren kombinieren, um künftig schnellere Prozessoren zu bauen. Ab Anfang 2007 sollen diese Techniken in der normalen Chip-Produktion zum Einsatz kommen, die dann in einem 45-Nanometer-Prozess ablaufen soll. Aktuell fertigt Intel seine Chips in einem 0,13-Mikron-Prozess, plant aber den Umstieg auf einen 90-Nanometer-Prozess ab Anfang 2004.  (ji)


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