Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0309/27520.html    Veröffentlicht: 18.09.2003 09:47    Kurz-URL: https://glm.io/27520

AMD stellt neuen schnellen Transistor vor

Neuer Transistor soll seiner Zeit um Jahre voraus sein

Auf der "International Conference on Solid State Devices and Materials" in Tokio haben AMD-Forscher einen neuen Triple-Gate-Transistor vorgestellt, bei dem eine neue Generation von Silicon-on-Insulator (SOI) sowie fortschrittliche Metall-Gatter-Technologien zum Einsatz kommen. Das Design soll laut AMD eine um rund 50 Prozent höhere Leistung bieten als jede zuvor vorgestellte Multi-Gatter-Technologie.

Mit dem neuen Transistor will AMD die Anforderungen, die die "International Technology Roadmap for Semiconductors" (ITRS) an Transistoren für das Jahr 2009 stellt, übertreffen. Dabei sei das Design weitgehend kompatibel zu aktuellen Herstellungsprozessen. AMD sieht die Technologie daher schon 2007 im Einsatz in der Massenfertigung.

Die neue Technologie soll dabei die Schaltgeschwindigkeit von Transistoren erhöhen, zugleich aber die erzeugte Abwärme verringern, so AMD. Dabei wird eine extrem dünne Leiterbahn unter Nutzung von "Fully Depleted Silicon-on-Insulator" (FDSOI) an drei Seiten von Nickel-Silicide umgeben, was die Leitfähigkeit erhöhen soll. Zudem soll so der Querschnitt der Leiterbahn erhöht werden, was zu höheren ON-Ladungen und geringeren OFF-Ladungen sowie schnellerem Schalten führt.  (ji)


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