Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0307/26382.html    Veröffentlicht: 10.07.2003 10:04    Kurz-URL: https://glm.io/26382

Rambus, Toshiba und Elpida stellen XDR DRAM vor

XDR DRAM läuft zunächst mit 3,2 GHz, später mit 6,4 GHz und mehr

Rambus hat zusammen mit Toshiba und Elpida mit XDR DRAM eine neue Speichergeneration vorgestellt. XDR DRAM nutzt das XDR-Speicherinterface (vormals Yellowstone) von Rambus und läuft mit bis zu 3,2 GHz. Sony hat die neue Technologie bereits vorab zur Verwendung mit "Cell" lizenziert, unter anderem die Basis für Sonys PlayStation 3.

XDR DRAM soll zunächst in den Bereichen Grafik und Netzwerk, später aber auch als Hauptspeicher für PCs, Server sowie Mobile-Systeme Verwendung finden. XDR DRAM soll vor allem im Vergleich mit speziellen, schnellen, aber nur in geringen Stückzahlen gefertigten DRAMs Kostenvorteile bei ähnlicher Leistung bieten.

Dabei soll XDR DRAM in einem ersten Schritt mit 3,2 GHz angeboten werden, Rambus plant aber, die Geschwindigkeit auf 6,4 GHz und mehr zu erhöhen, um Speicherbandbreiten von 100 GByte/s zu erreichen. Den Kern der XDR-RAM-Technologie stellt FlexPhase dar, laut Rambus eine Abkehr von traditioneller Schaltkreistechnik, da Datenfluss und Takt automatisch aufeinander angepasst werden, wobei die Genauigkeit innerhalb von 2,5 Pikosekunden liegen soll. Speichersystem-Designer sollen damit einfachere und kompaktere Speicherlayouts entwickeln können. Im Gegensatz zu traditionellen Herangehensweisen bei seriellen Verbindungen soll bei FlexPhase kein Taktgeber implementiert sein, was Latenzzeiten verringern und bis zu 20 Prozent Bandbreite sparen soll.

Toshiba und Elpida wollen erste Muster von XDR DRAM im Laufe des Jahres 2004 auf den Markt bringen, die Massenproduktion ist für 2005 geplant.  (ji)


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