Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0209/21639.html    Veröffentlicht: 13.09.2002 09:52    Kurz-URL: https://glm.io/21639

Intel glaubt weiter an das Moore'sche Gesetz

Einsatz der Nanotechnologie in der Chipproduktion

Intel setzt in den nächsten zehn Jahren auf die Erforschung und Weiterentwicklung der Technologien zur Integration von Computer- und Kommunikationsschaltkreisen auf Siliziumbasis.

Mit den geplanten Forschungsvorhaben und der Auswertung bisheriger Forschungsergebnisse im Bereich der Silizium-Nanotechnologie sieht Intel kein Ende des Moore'schen Gesetzes in den nächsten Jahren. Das Moore'sche Gesetz besagt, dass sich die Anzahl der Transistoren auf einer gegebenen Fläche Silizium etwa alle zwei Jahre verdoppelt.

Pat Gelsinger, Intel Chief Technology Officer und Sunlin Chou, Intel Senior Vice President, betonten in ihren Vorträgen auf dem Intel Developer Forum die Vorteile der Integration von Computer- und Kommunikationsfunktionen in Siliziumhalbleitern. Die Vorzüge - steigende Leistung bei sinkenden Kosten - des Moore'schen Gesetzes kämen dann auch bei Bauteilen der drahtlosen Welt und der optischen Kommunikation zum Tragen.

Mit einem Herstellungsverfahren für extrem stromsparende Schaltkreise auf CMOS plant Intel auch die Vision "Funk auf dem Chip" Wirklichkeit werden zu lassen. In den nächsten Jahren werden Intel-Chips mit Funkfähigkeiten standardmäßig ausgerüstet.

Die Vorteile digitaler Eigenschaften resultierend aus dem Fortbestehen des Moore'schen Gesetzes gepaart mit Optoelektronik, demonstrierte Gelsinger an Hand eines einstellbaren Lasers. Photonik in Silizium war der Schlüssel zum Erfolg für dieses Projekt. In nur einem Silizium-basierenden Chip fanden Optik und Digitaltechnik Platz. Ziel dieser Forschung ist die Verringerung der Kosten optischer Netzwerke.

Neben Intels Forschungs- und Entwicklungsarbeiten an neuen Siliziumtechnologien, Materialien und Chip-Strukturen, die zu einer Erweiterung des Moore'schen Gesetzes führen könnten, gehören die Weiterentwicklung der Extreme-Ultraviolet-(EUV-)Lithographie und neue Transistor-Gate-Dielektrika und Transistorstrukturen zu wichtigen Forschungsvorhaben.

"Wir erweitern die Anwendungen von Silizium-Technologie und die Ausweitung des Moore'schen Gesetzes durch unsere Investitionen in die Erforschung und den Einsatz der Nanotechnologie", sagte Chou. "Intel übernahm die Führung in diesen Hochtechnologie-Bereichen durch den Einsatz von Transistoren mit Dimensionen unter 100 Nanometer in den CPUs der letzten zwei Jahre. Unsere Forschung geht weit über die 90-Nanometer-Herstellungstechnologie des nächsten Jahres hinaus."

Chou berichtete von einem Forschungsprojekt für Transistoren, die nicht vor dem Jahr 2007 zum Einsatz kommen. Diese so genannten Terahertz-Transistoren verwenden nicht mehr planare (flache) Transistorgates, sondern die Intel-Labors experimentieren mit nicht-planaren Triple-Gate-CMOS-Transistoren (Tri-Gate-Transistoren). Durch dieses Verfahren wird die Oberfläche des Gates vergrößert, was zu einer höheren Transistorleistung und somit zu höherer Prozessorgeschwindigkeit führt.

Intel arbeitet schon seit einiger Zeit mit verschiedenen Universitäten an langfristigen Projekten, wie Kohlenstoff-Nanoröhren (Tubes), Nanoverdrahtung in Silizium oder leitenden und halbleitenden Strukturen. Diese Forschungen führen vielleicht eines Tages zu verbesserter Transistorleistung. Intel erwartet den kommerziellen Einsatz der Nanoröhren oder Nanoverdrahtung in zehn Jahren.  (ad)


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