Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0204/19331.html    Veröffentlicht: 16.04.2002 11:01    Kurz-URL: https://glm.io/19331

Bald nichtflüchtiger Hauptspeicher für PCs?

Sharp lizenziert neue Speichertechnologie der University of Houston

Schnelle, nichtflüchtige Speicher könnten in Zukunft das Hoch- und Runterfahren von Rechnern überflüssig machen. Eine entsprechende, von der University of Houston (UH) entwickelte und erstmals im November 2001 der Öffentlichkeit vorgestellte Speichertechnologie wurde nun von der amerikanischen Sharp-Tochter Sharp Laboratories of America exklusiv lizenziert.

Die Universitätsforscher haben Folien-Speicherelemente aus dem Material Perowskit (CaTiO3) gefertigt und getestet. Die Forscher arbeiteten mit sehr dünnen Folien von Perowskit-Oxiden, die "Manganite" genannt werden. Wenn diese Folien elektrischen Pulsen ausgesetzt sind, können ihre Widerstände schnell geändert werden, so dass sie Elektrizität mehr oder weniger gut leiten. Ihr Widerstand kann also, vereinfacht gesagt, programmiert werden. Die UH-Forscher haben sich die Widerstands-Fähigkeiten von Perowskit zu Nutze gemacht und einen elektrischen Schaltprozess entwickelt, so dass das Material zu Speicherung und zum Auslesen von Informations-Bits genutzt werden kann.

Kommerzielle Speicherprodukte, die dieses Material nutzen, könnten viele Tausende oder Millionen dieser Elemente in einer Matrix anordnen und damit einen "Widerstands-Speicherchip" erzeugen, der zu aktuellen PCs kompatibel gemacht werden könnte, erklärt Alex Ignatiev, Direktor des "Texas Center for Superconductivity and Advanced Materials" an der University of Houston und einer der Entwickler der neuen Technologie. Gemeinsam mit Sharp Laboratories sollen nun kommerzielle Anwendungen für den neuen Speicher entwickelt werden.

"Bei aktuellen Computern verliert man beim Ausschalten alles was man nicht gesichert hat und man muss das System hinterher neu booten bzw. starten. Unser Speichertyp ist nichtflüchtig, was bedeutet, dass beim Ausschalten alles noch da ist. Man schaltet den Computer wieder an und alles befindet sich an der Stelle, die man beim Abschalten verlassen hat", so Ignatiev. Laut Ignatiev könnte die neue "resistive random access memory technology" theoretisch RAM und Massenspeicher ersetzen: "Dieser Widerstands-Speicher ist ein konstanter, permanenter Speicher, aber dennoch flüssig, fähig, Informationen jeder Art schnell und in einer nichtflüchtigen Weise zu speichern. Und er ist rein elektronisch, ohne mechanische Teile wie sie in Festplatten zum Lesen und Schreiben von Daten genutzt werden."

Nichtflüchtige Speicher sind zwar nichts Neues, laut Victor Hsu, dem Direktor des Halbleiter-Prozesstechnik-Laboratoriums von Sharp Laboratories of America, könnte die Perowskit-basierte neue Speichertechnologie jedoch das Zeug haben, die nächste Generation von breit eingesetztem Computer-Hauptspeicher zu werden. Hsu glaubt, dass fertig entwickelte und kommerziell verwertbare Speicherchips letztendlich günstiger wären als derzeitige Speicher. Darüber hinaus soll der neue Speichetyp eine wesentlich schnellere Verarbeitung in datenintensiven Bereichen, wie beispielsweise Grafik und Video, ermöglichen.

Die Forschung wurde anfangs von der NASA und dem US-Staat Texas finanziert. Näheres über die Zusammenarbeit mit Sharp Labs und die neuesten Entwicklungen wird Alex Ignatiev auf der "International Joint Conference on the Applications of Ferroelectrics 2002" berichten, die vom 28. Mai bis 1. Juni in Japan stattfindet.  (ck)


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