Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/halbleiterfertigung-micron-arbeitet-an-euv-ddr5-und-hbm2-speicher-2003-147551.html    Veröffentlicht: 27.03.2020 17:34    Kurz-URL: https://glm.io/147551

Halbleiterfertigung

Micron arbeitet an EUV-DDR5- und HBM2-Speicher

Stacked Memory stand gar nicht auf Microns bisheriger Roadmap, die EUV-Fertigung von DDR5 hingegen war zu erwarten.

Im Quartalsbericht von Micron (PDF) spricht der Speicherhersteller von aktuellen und kommenden Produkten, die sich derzeit in Arbeit befinden. Dazu gehören DDR5-RAM in feinerer DUV- sowie künftig mit EUV-Fertigung für Prozessoren, aber auch erstmals HBM2-Stapelspeicher für Grafikkarten und NAND-Speicher mit Charge-Trap- statt Floating-Gate-Technik.

DRAM etwa für DDR5 produziert Micron derzeit im 1z-Verfahren, die ersten Muster davon wurden bereits an Partner verteilt. Diese Marketingbezeichnung weist grob auf 11 nm bis 13 nm hin, ältere Prozesse sind 1y alias 14 nm bis 16 nm und 1x alias 17 nm bis 19 nm. Künftig will Micron auf eine 1a-Fertigung umstellen, damit erfolgt der Wechsel von Immersionslithografie (DUV) auf extrem ultraviolette Belichtung (EUV). Samsung hat kürzlich DDR5-1a-Speicher gezeigt, die Serienproduktion startet 2021.

Spannend ist Microns Ankündigung, ab nächstem Jahr wie angekündigt nun auch HBM2 (High Bandwidth Memory) zu fertigen, so wie Samsung und SK Hynix schon lange. Einst war Micron den zusammen mit Intel entwickelten HMC (Hybrid Memory Cubes) zugewandt, abseits von Beschleunigerkarten wie den eingestellten Xeon Phi (Knights Landing) sind die Speicherwürfel aber nicht weit verbreitet, weshalb der Fokus auf HBM2 sinnvoll ist. Für HBM2e sind derzeit acht gestapelte DRAM-Dies (8Hi) für 8 GByte Kapazität verfügbar, der nächste Schritt sind zwölf Chips (12Hi) für 12 GByte.

Weil das IMFT-Joint-Venture von Intel und Micron aufgelöst wurde, entwickelt Micron nun selbst NAND-Flash-Speicher. Die gemeinsamen Designs setzten alle auf Floating-Gate-basierte Zellen, der eigene NAND von Micron jedoch nutzt die Charge-Trap-Methode; der Hersteller spricht von Replacement Gate. Der neue 3D-NAND v4 soll 128 Schichten aufweisen, die Serienfertigung läuft gerade an.

 (ms)


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