Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/bics5-flash-forward-hat-112-lagigen-flash-speicher-entwickelt-2001-146381.html    Veröffentlicht: 31.01.2020 10:27    Kurz-URL: https://glm.io/146381

BiCS5

Flash Forward setzt auf 112-lagigen Flash-Speicher

Das Joint Venture aus Kioxia und Western Digital hat die Schichten des eigenen Flash-Speichers von 96 auf 112 gesteigert. Die Kapazität ändert sich nicht, die Produktion der Chips wird kostengünstiger.

Auf BiCS4 folgt BiCS5: So heißt die nächste Generation an Flash-Speicher von Kioxia, ehemals Toshiba Memory, und Western Digital. Das gemeinsame Joint Venture namens Flash Forward hat den BiCS5 vorgestellt, einen 112-lagigen Flash-Speicher mit einer Kapazität von bis zu 1,33 TBit (167 GByte) pro Die.

Der bisherige BiCS4 hat 96 Schichten, die Anzahl der Layer steigt also nur geringfügig. Flash Forward setzt erneut auf String-Stacking, es werden daher vermutlich zwei 56-lagige Arrays kombiniert. Vorerst werden 512-GBit-Chips mit 3-Bit-Zellen (TLC) produziert, die noch im ersten Quartal 2020 ausgeliefert werden sollen. Später sollen 1-TBit-TLC- und 1,33-TBit-QLC-Dies folgen. Letztere haben eine niedrigere Schreibrate.

Generell soll jedoch die Leistung steigen, Flash Forward spricht von einer 50 Prozent höheren Interface-Geschwindigkeit. Für das Joint Venture wichtig sind die Kosten: Durch eine überarbeitete Technik und eine verbesserte Fertigung soll die Dichte der Zellen-Arrays um 20 Prozent zugenommen haben. Weil zudem die Layer-Anzahl stieg, soll die Bit-Kapazität pro Wafer um 40 Prozent höher ausfallen.

Für Kioxia und Western Digital bedeutet das ein wirtschaftlicheres Herstellungsverfahren, weil aus einem Wafer mehr Chips mit gleicher Speichermenge geschnitten werden können. Der Wechsel von 96 Schichten auf 112 Layer soll günstiger ausfallen als der von 64-lagigem Flash-Speicher auf solche mit 96 Schichten. Die weniger gestiegenen Entwicklungskosten gehen bei BiCS5 allerdings auch mit einer geringeren Erhöhung der Bits/Wafer-Ausbeute einher. Samsungs V-NAND v6 hat 136 Layer und Intel arbeitet an 144 Schichten.  (ms)


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