Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/lpddr4x-micron-hat-16-gbyte-smartphone-speicher-1908-143286.html    Veröffentlicht: 19.08.2019 13:30    Kurz-URL: https://glm.io/143286

LPDDR4X

Micron hat 16-GByte-Smartphone-Speicher

Mit neuester 10-nm-Technik für hohe Effizienz und Kapazität: Micron liefert 16-GBit-Chips für Smartphones aus. Damit sind Geräte mit 16 GByte LPDDR4X-Arbeitsspeicher möglich, zudem gibt es bei 8 GByte die Option, noch bis zu 256 GByte Flash-Speicher obendrauf zu packen.

Der Speicherhersteller Micron hat die Verfügbarkeit von LPDDR4X-4266 mit 16 GBit Kapazität je Chip angekündigt. Der RAM ist für Highend-Smartphones gedacht, denn damit sind Packages von 3 GByte bis 16 GByte umsetzbar - bisher gibt es nur Chipgehäuse mit sechs gestapelten Dies für 12 GByte von Samsung wie etwa im Galaxy S10+ des südkoreanischen Fertigers.

Micron verwendet für seine 16-GBit-Dies ein sogenanntes 1Z-Verfahren, auch 10-nm-Class genannt. Hier sieht sich der US-amerikanische Hersteller vor Samsung, denn die nutzen noch einen 1Y-Node. Hintergrund dazu ist, dass der genaue Prozess nicht genannt wird - 1X könnte 18 nm entsprechen, 1Y dann 15 nm und 1Z dann 12 nm. Micron gibt an, dass im eigenen 1Z-Verfahren hergestellte 16-GBit-Dies verglichen mit im 1Y-Node gefertigten eine Reduktion der Leistungsaufnahme von gleich 40 Prozent bei gleicher Geschwindigkeit aufweisen soll. An anderer Stelle spricht der Hersteller allerdings von nur 10 Prozent, hier konkret im Kontext von LPDDR4X-4266.

Mit den 16-GBit-Dies baut Micron verschiedene Chipgehäuse, davon acht uMCPs (UFS-basierte Multi-Chip-Packages): Das Angebot reicht von 3 GByte LPDDR4X mit 64 GByte Universal Flash Storage bis hin zu 8 GByte plus 256 GByte. Die 16-GByte-Variante gibt es offenbar nicht als Kombination mit UFS, das dürfte wohl auch für einen eventuellen 12-GByte-Ableger mit sechs statt acht Chips im Package gelten. Die uMCPs haben den Vorteil, dass DRAM und Flash gestapelt sind und somit weniger Platz auf der Smartphone-Platine einnehmen; dieses Verfahren ist lange schon Standard.

Noch ist LPDDR4X der schnellste Arbeitsspeicher im Mobile-Segment, mit LPDDR5 gibt es einen Nachfolger. Die Serienfertigung seitens Samsung läuft, die Südkoreaner fertigen laut eigenen Angaben seit Sommer 2019 bereits 12-GBit-Dies mit LPDDR5-5500. Das entspricht zumindest von der rein theoretischen Datentransfer-Rate her einem Zuwachs von knapp 30 Prozent. Erste Systems-on-a-Chip mit LPDDR5-Unterstützung sollen noch diesen Herbst erscheinen, etwa Qualcomms Snapdragon 865. Auch Apples A13 und Huaweis Kirin 985/990 könnten den Speicher nutzen.

 (ms)


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