Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/ymtc-chinesischer-hersteller-erlaeutert-seine-nand-flash-technik-1808-135883.html    Veröffentlicht: 07.08.2018 14:15    Kurz-URL: https://glm.io/135883

YMTC

Chinesischer Hersteller erläutert seine NAND-Flash-Technik

Die Yangtze Memory Technologies Company will 3D-Flash-Speicher liefern, der doppelt so schnell ist wie der von Samsung, allerdings weniger Kapazität aufweist. Hintergrund ist die getrennte Fertigung von NAND- und I/O-Wafern.

Die Yangtze Memory Technologies Company hat das Flash Memory Summit 2018 genutzt, um die eigene NAND-Technologie namens Xtacking zu erläutern. Die YMTC ist der erste chinesische Hersteller, der 3D-Flash-Speicher produziert, was die Abhängigkeit von südkoreanischen (Samsung) oder US-amerikanischen (Micron) Anbietern reduzieren soll. Der NAND von YMTC hat eine Speicherkapazität von 256 GBit bei 64 Zellschichten; die Konkurrenz ist schon bei 512 GBit bis 1 TBit mit 96 Layern angelangt.

Verglichen mit den Mitbewerbern möchte der chinesische Hersteller mit Geschwindigkeit und geringeren Kosten punkten: Der Flash-Speicher soll theoretisch 3 GBit/s erreichen und damit mehr als das Doppelte der 1,4 GBit/s, mit denen Samsung den V-NAND v5 bewirbt. Hinter Xtacking versteht die Yangtze Memory Technologies Company ein Verfahren, bei der NAND mit 3-Bit-Zellen auf einem eigenen Wafer und das notwendige I/O-Array auf einem eigenen Wafer gefertigt werden. Beide Scheiben kontaktiert der Hersteller anschließend durch (Through Silicon Vertical Interconnect Access, TSV), so dass die Logik unter dem NAND sitzt. Mit dieser Umsetzung möchte die YMTC eine höhere Speicherdichte erreichen und kann zudem für das I/O-Array laut eigener Aussage günstigere Nodes einsetzen; aktuell sind es 180 nm. Hintergrund sei, dass die Logik-ICs bisher etwa ein Viertel bis ein Drittel eines Chips benötigten, sagt die YMTC. Mit 128 Zellschichten soll das I/O-Array dann gar die Hälfte der Fläche belegen, was das Die größer und somit teurer macht. Xtacking soll überdies die Produktion um etwa drei Monate beschleunigen, die damit versehene zweite Generation des 3D-NAND-Flash-Speichers soll 2019 in die Serienfertigung gehen.

Bisher stellt die YMTC noch Chips mit 32 Zellschichten her, dazu verwenden die Chinesen eine 300-mm-Wafer-Farik der XMC-Tochter in Wuhan Xinxin. Allerdings sind Investitionen von exorbitanten 24 Milliarden US-Dollar für drei gigantische Halbleiterwerke geplant. Das Geld stammt unter anderem von der staatlich finanzierten Tsinghua Unigroup.  (ms)


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