Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0104/13451.html    Veröffentlicht: 12.04.2001 09:24    Kurz-URL: https://glm.io/13451

Infineon führt neuen Speichertyp RLDRAM ein

Alternative zu teureren SRAM-Speichern

Infineon hat eine neue DRAM-Produktlinie vorgestellt, die speziell für den Markt der Netzwerk-Applikationen ausgelegt ist. Das RLDRAM (Reduced Latency DRAM) erfüllte alle wichtigen Kriterien in Netzwerk- und Cache-Applikationen, wie hohe Speicherkapazität, hohe Bandbreite und schnellen SRAM-ähnlichen, wahlfreien Speicherzugriff.

Das RLDRAM stellt ein schnelles SDRAM mit einer Taktfrequenz von 300 MHz und einem DDR-Interface (Double Data Rate) dar. Das erste verfügbare Produkt ist ein 256-Mbit-Baustein mit 8M-x-32- und 16M-x-16-Organisation. Das RLDRAM bietet acht interne Speicherbänke. Erfolgt der Zugriff auf diese Speicherbänke sequenziell, wird eine Datenbandbreite von 19,2 Gbit/s erreicht, wobei der wahlfreie Speicherzugriff erhalten bleibt.

Das RLDRAM basiert auf einer neuen internen Speicherarchitektur, die den schnellen wahlfreien Zugriff erlaubt, mit Zykluszeiten von nur 25 Nanosekunden. Standard-DRAMs haben Vergleichs-Zykluszeiten von etwa 50 ns. RLDRAM schließe damit die Lücke zwischen SRAM und DRAM, so Infineon.

Typische Anwendungsbeispiele sind Netzwerk-Anwendungen, bei denen Controller in Routern oder Switches möglichst schnell Routing-Informationen lesen oder Datenpakete zusammenstellen müssen. Auch in Cache-Applikationen ist eine schnelle Reaktionszeit bestimmend für den gesamten Zeitbedarf des Speicher-Subsystems.

Das T-FBGA-144-(Thin-Profile-Ball-Grid-Array-)Gehäuse erlaubt es den Systementwicklern, auf das Adress-Multiplexing zu verzichten, das bei DRAM-Produkten in TSOPs üblich ist. Außerdem bietet das Gehäuse verringerte parasitäre Effekte bei höheren Frequenzen sowie einen geringen thermischen Widerstand für eine verbesserte Wärmeabfuhr.

Während Standard-SDRAMs mit 3,3 Volt arbeiten, arbeitet das RLDRAM mit 1,8 Volt bis 2,5 Volt für das Speicher-Array und mit 1,8 Volt für den I/O-Bereich. Durch die Reduzierung der Betriebsspannung wird ein Datentransfer auf dem Board mit bis zu 300 MHz (600 Mbit/s) möglich, was einer Baustein-Bandbreite von 2,4 GByte (x 32 bit Organisation) bzw. 1, 2 GByte (x 16 bit) entspricht.

Erste Muster des 256-Mbit-RLDRAM in den Organisationen 8M x 32 und 16Mx 16 werden ab dem 3. Quartal 2001 verfügbar sein. Die Massenproduktion ist für Anfang 2002 geplant.  (ad)


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