Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/auftragsfertiger-tsmc-baut-fab-fuer-3-nm-verfahren-1710-130376.html    Veröffentlicht: 02.10.2017 07:07    Kurz-URL: https://glm.io/130376

Auftragsfertiger

TSMC baut Fab für 3-nm-Verfahren

In Taiwan entsteht eine der modernsten Fertigungsanlagen der Welt: Die TSMC erweitert den Tainan Science Park um ein Werk mit 3-nm-Technologie. Unterstützung gibt es von der Regierung.

Die TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company) will in den kommenden Jahren eine Fab für 3-Nanometer-Produktion errichten. Das Halbleiterfertigungswerk entsteht im Tainan Science Park, dort befinden sich bereits die Fab 6 und die Fab 14 sowie die Fab 14B des Herstellers. Während in ersterer mit älteren 200-mm-Wafern und vergleichsweise groben Nodes produziert wird, fertigt die TSMC in der Fab 14(B) auf 300-mm-Scheiben mit aktueller 16-nm-Technik und vermutlich auch 12FFC.

In der Mitteilung der TSMC verweist der Auftragsfertiger auf die Unterstützung seitens der taiwanischen Regierung mit Blick auf Probleme wie Bauland, Energie- und Wasserversorgung sowie Umweltschutz. Zuvor gab es Berichte, wonach es bei der örtlichen Infrastruktur noch Nachholbedarf gäbe. Grundsätzlich bevorzugt die TSMC eine Bündelung der Kapazitäten, um so von Synergien bei der Fertigung zu profitieren. Wie viel die neue Fab kosten, und wann sie eröffnet werden soll, teilte der Hersteller nicht mit. Ein solches Projekt bewegt sich mittlerweile bei mindestens zehn Milliarden US-Dollar, seitens Bloomberg ist die Rede von 20 Milliarden US-Dollar für die neue Fab.

Der Roadmap der TSMC zufolge soll ab 2017 die Vorserie (Risk Production) von 7 nm anlaufen und 2019 die von 5 nm. Bis also 3 nm bereit ist, dürfte es wohl 2022 werden. Ab dem 7+ genannten optimierten 7 nm besteht die Option, einige Layer mit EUV (extrem ultra violette Strahlung) zu belichten.  (ms)


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