Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/bics3-flash-forward-startet-fertigung-von-512-gbit-flash-chips-1702-126062.html    Veröffentlicht: 08.02.2017 11:23    Kurz-URL: https://glm.io/126062

BiCS3

Flash Forward startet Fertigung von 512-GBit-Flash-Chips

Toshiba und Western Digital haben die Kapazität ihres BiCS3 genannten Flash-Speichers verdoppelt. Die Pilotproduktion von 512-GBit-Dies sei angelaufen, womit Flash Forward zeitlich einige Wochen vor Samsung liegen könnte.

Western Digital hat bekanntgegeben, die Pilotproduktion von 512-GBit-NAND-Flash-Chips begonnen zu haben. Gemeinsam mit Toshiba als Partner soll der BiCS3 genannte Speicher mit 64 Schichten aus Zellen mit drei Bit (TLC) bis zum zweiten Halbjahr 2017 in die Serienfertigung überführt werden.

Damit hat Flash Forward, so heißt das Joint Venture aus Toshiba und Western Digital (früher Sandisk), offenbar noch vor Samsung die Produktion von 512 GBit fassenden Dies gestartet. Bisher wies BiCS3 (Bit Cost Scalable) einzig 256 GBit pro Chip auf, die Fertigung war im Herbst 2016 angelaufen. Samsung arbeitet ebenfalls an 512-GBit-Chips, hat aber bisher noch nicht offiziell mitgeteilt, dass sich der V-NAND v4 in der Produktion befinde.

Hergestellt wird der BiCS3 in der Fab 2 in Yokkaichi, Japan, die Toshiba und Western Digital gemeinsam betreiben. WD hatte auf seinem Investor Day 2016 gesagt, dass NAND-Flash für Flash Forward erst mit 64 Zellschichten wirtschaftlich sei, da die Kosten fünf bis sechs Mal so hoch seien. Der BiCS1-Speicher wurde nie in Serie gefertigt, der BiCS2 mit 48 Zellschichten ging in die Produktion, allerdings einzig für ausgewählte Produkte.

Details zum neuen BiCS3 mit 512 GBit möchte Western Digital auf der aktuell stattfindenden International Solid State Circuits Conference 2017 (ISSCC) erläutern. Zumindest auf dem Investor Day 2016 sprach Western Digital auch über BiCS3-Speicher mit vier Bit pro Zelle (QLC, Quadruple Level Cell), wahrscheinlicher ist jedoch schlicht ein größerer Chip.

Neben Flash Forward und Samsung arbeitet auch IMFT (Intel Micron Flash Technologies) und SK Hynix an NAND-Flash-Speicher mit mehr Schichten, konkret bis zu 72 Layer davon für 512 GBit Kapazität.  (ms)


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