Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/nand-sk-hynix-baut-flash-fab-fuer-2-milliarden-us-dollar-1612-125229.html    Veröffentlicht: 23.12.2016 08:29    Kurz-URL: https://glm.io/125229

NAND

SK Hynix baut Flash-Fab für 2 Milliarden US-Dollar

Der Speicherhersteller SK Hynix investiert viel Geld in eine neue Fertigungsanlage. Die Fab in Cheongju, Südkorea, soll NAND-Flash-Speicher produzieren. Obendrein wird ein DRAM-Werk für 800 Millionen US-Dollar aufgerüstet.

SK Hynix hat angekündigt, eine weitere Halbleiterfertigungsstätte in Südkorea zu bauen. Die Fab, kurz für Semiconductor Fabrication Plant, soll in der Stadt Cheongju errichtet werden und kostet 2,2 Billionen Won, was derzeit etwa 2 Milliarden US-Dollar entspricht. Gedacht ist die Anlage für die Produktion von NAND-Flash-Speicher, bei dem SK Hynix verglichen mit den Marktführern Samsung, Flash Forward und IMFT zeitlich bisher hinten liegt.

Sung Wook Park, CEO von SK Hynix, zufolge wird der Hersteller in den kommenden Monaten mit dem Bau beginnen. Im August 2017 sollen die Reinräume fertiggestellt werden und die Fab an sich möchte SK Hynix im Juni 2019 abgeschlossen haben. Das Halbleiterwerk wurde im Sommer 2015 als eines von zwei neuen bekanntgegeben, insgesamt plant der Hersteller, satte 31 Billionen Won (26 Milliarden US-Dollar) zu investieren.

Abzüglich der neuen Fab nahe Cheongju wären noch 24 Milliarden US-Dollar für eine Fab übrig - was uns exorbitant erscheint. Das laut SK Hynix größte Halbleiterwerk der Welt, der M14-Komplex für DRAM nahe Seoul, kostete enorme 12 Milliarden US-Dollar und wurde vor anderthalb Jahren eingeweiht.

Mehr Reinraumfläche für die Arbeitsspeicherproduktion

Die Fertigung von DRAM soll ebenfalls ausgebaut werden, daher investieren die Südkoeaner 800 Millionen US-Dollar in die Aufrüstung der schon existierenden Fab bei Wuxi. Von dort stammt derzeit die Hälfte aller DRAM-Dies, zwischen Juli 2017 und April 2019 soll die Reinraumfläche erweitert werden.

SK Hynix möchte obendrein das M14-Werk umbauen, um dort zusätzlich zu Arbeitsspeicher den aktuellen 3D-NAND v4 zu fertigen. Ein Chip davon fasst 256 GBit und nutzt drei Bit pro Speicherzelle (TLC). Konkurrent Samsung produziert derweil bereits den V-NAND v4 mit 512 GBit pro TLC-Die.

Nach Samsung Semiconductor, Flash Forward (Toshiba und Western Digital, früher Sandisk) sowie IMFT (Intel & Micron Flash Technologies) ist SK Hynix der weltweit viertgrößte Hersteller von NAND-Flash-Speicher.  (ms)


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