Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/3d-xpoint-und-es-ist-doch-phase-change-memory-1601-118578.html    Veröffentlicht: 18.01.2016 10:17    Kurz-URL: https://glm.io/118578

3D Xpoint

Und es ist doch Phase Change Memory

Zwei Neuigkeiten zu 3D Xpoint: Erstens handelt es sich wie erwartet um eine Art von Phase Change Memory und zweitens sollen einige darauf basierende Produkte etwas später als geplant erscheinen.

IM Flash Technologies' Chef hat bekanntgegeben, dass es sich bei 3D Xpoint, anders als bisher dargestellt, doch um Phase Change Memory handelt - wenn auch modifiziert. Guy Blalock, der IMFT für Micron leitet, bestätigte das laut der EE Times auf dem Industry Strategy Symposium in Kalifornien. Der Ko-CEO des Joint Ventures von Intel und Micron erklärte zudem, dass die Serienfertigung von 3D Xpoint in 12 bis 18 Monaten starten werde. Das widerspricht etwas Intels bisheriger Aussage, nach der noch 2016 Produkte erscheinen sollen.

Ohne weiter ins Detail zu gehen, sagte Blalock, dass 3D Xpoint ein um Materialien für einen Chalcogenide-Ovonic-Threshold-Switch erweiterter Phase Change Memory sei. Nichts anderes hatte Micron übrigens schon 2011 auf dem damaligen Flash Memory Summit beschrieben (PDF), sprach damals aber noch von '3D Cross Point' statt vom aktuellen Marketingnamen '3D Xpoint'. Bedingt durch die neuen Materialien und die dafür notwendige Zuliefererkette werde die neue Technik etwas länger brauchen, bis sie serienreif sei: Blalock spricht von 12 bis 18 Monaten, was später wäre als bisher angenommen. Intel hatte ursprünglich angekündigt, schon 2016 Produkte ausliefern zu wollen - die Stückzahlen jedoch nicht beziffert. Denkbar sind NVDIMMs und PCIe-SSDs alias Optane-Technologie für die Purley-Plattform in geringen Mengen.

Um mittelfristig die Fertigungskapazität zu steigern, wird IMFT weitere Fabs für die Produktion von 3D Xpoint umrüsten. Bisher wird der Speicher einzig bei Micron in Lehi, Utah, hergestellt. Künftig soll eine weitere Fab in Singapur hinzukommen und Intel wird die Fab 68 in Dalian, China, umstellen. Dort wird allerdings vorerst noch 3D-NAND-Flash-Speicher gefertigt.

Nachtrag vom 19. Januar 2016, 17:52 Uhr

Auf Nachfrage sagte Intel, es gebe keine Änderung beim Zeitplan. Noch 2016 sollen erste High-Performance-SSDs mit 3D Xpoint erscheinen. Die ersten Wafer und Prototypen seien bereits fertiggestellt.  (ms)


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