Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/0012/11215.html    Veröffentlicht: 07.12.2000 09:47    Kurz-URL: https://glm.io/11215

IBM und Infineon wollen Speichertechnologie revolutionieren

Gemeinsame Entwicklung von nicht-flüchtigem MRAM

IBM und Infineon Technologies wollen gemeinsam eine neuartige Speichertechnologie entwickeln. Sie soll dazu beitragen, die Batterie-Lebensdauer in portablen Systemen deutlich zu verbessern und es Computern darüber hinaus ermöglichen, nach dem Einschalten sofort betriebsbereit zu sein.

Beide Firmen haben vereinbart, bei der Entwicklung der MRAM-(Magnetic-Random-Access-Memory-)Technologie zusammenzuarbeiten. Diese Technologie nutzt magnetische statt elektronischer Ladungselemente für die Speicherung der Datenbits. MRAM soll zudem eine schnellere Speicherung und schnelleren Zugriff auf Informationen bieten als aktuelle elektronische Produkte.

Darüber hinaus bleiben bei MRAM die Daten auch nach dem Abschalten der Versorgungsspannung erhalten, womit Produkte wie PCs sofort und ohne "Boot"-Prozess betriebsbereit wären.

IBM Research hat sich bereits seit 1974 in der Entwicklung von miniaturisierten Komponenten auf Basis der magnetischen Tunnel-Effekt-Technologie engagiert. 1998 konnte man den ersten funktionierenden MRAM-Chip zeigen. Gemeinsam mit Infineon will man ab 2004 Produkte auf Basis der MRAM-Technologie kommerziell verfügbar machen.

"MRAM hat das Potenzial, alle bisherigen RAM-Technologien in künftigen Computer-Generationen zu ersetzen", sagte Bijan Davari, IBM Fellow und Vice President of Technology and Emerging Products bei IBM Microelectronics. "Die heutige Ankündigung markiert einen wichtigen Schritt, der die MRAM-Technologie vom reinen Forschungsobjekt zur Entwicklung von Produkten führt. Damit kommen wir der Realisierung von MRAM ein großes Stück näher."

MRAM soll dabei die Vorteile der verschiedenen RAM-Technologien - die hohe Geschwindigkeit von SRAMs (Static RAM), die Dichte und die Kostenvorteile von DRAMs (Dynamic RAM) sowie die nichtflüchtige Speicherung von Flash-Speichern - vereinen.

Heutige Speicher-Technologien wie DRAM und SRAM erfordern eine permanente Stromversorgung, um die gespeicherten Daten zu erhalten. Wenn die Stromversorgung abgeschaltet wird, sind die Daten verloren. Ein Laptop beispielsweise arbeitet mit einer, in seinem Speicher abgelegten Arbeitskopie des Betriebssystems bzw. der Anwendungen. Wird der Laptop eingeschaltet, dann wird diese Arbeitsversion des Betriebssystems von der Festplatte in den DRAM-Speicher kopiert, so dass ein schneller Zugriff gewährleistet ist. Beim Aus- und Wiedereinschalten wiederholt sich dieser Vorgang - mit der entsprechenden Verzögerung. Setzt man jedoch MRAM statt DRAM ein, dann wäre der Laptop, ähnlich wie andere elektronische Geräte (z.B. Fernseher oder Radio), sofort betriebsbereit.

Da MRAMs keine ständige Stromversorgung benötigen, um die Daten zu speichern, haben sie auch eine geringere Leistungsaufnahme als andere RAM-Technologien. Dadurch kann die Batterielebensdauer in Mobiltelefonen, "Handheld"-Geräten, Laptops und anderen batteriebetriebenen Computern deutlich erhöht werden.

An dem Projekt arbeitet ein Team aus etwa 80 Ingenieuren und Wissenschaftlern von IBM und Infineon.  (ji)


© 1997–2019 Golem.de, https://www.golem.de/