Original-URL des Artikels: https://www.golem.de/news/knights-hill-uebernaechste-xeon-phi-erscheint-in-10-nanometern-1411-110675.html    Veröffentlicht: 20.11.2014 10:38    Kurz-URL: https://glm.io/110675

Knights Hill

Übernächste Xeon Phi erscheint in 10 Nanometern

Knights Hill folgt auf Knights Landing und wird als erste Xeon Phi im 10-Nanometer-Verfahren gefertigt. Das Fabric Omni Scale erhält einen neuen Namen, zudem steigt die Geschwindigkeit.

Intel hat auf der HPC-Konferenz SC14 die übernächste Xeon-Phi-Generation angekündigt: Die Beschleunigerkarten für High Performance Computing heißen Knights Hill, die darauf verbauten Prozessoren werden mit 10-Nanometer-Technik gefertigt.

Aktuell sind die im 22-Nanometer-Verfahren gefertigten Knights Corner, für das zweite Halbjahr 2015 plant Intel die Knights Landing im 14-Nanometer-Prozess. Für Knights Hill dürfte dies einen Veröffentlichungszeitraum im Jahr 2017 oder 2018 bedeuten.

Die Roadmap sieht zwar vor, erste Chips im 10-Nanometer-Verfahren schon 2015 zu produzieren. Da die bisherigen Xeon Phi aber sehr große, schwierig zu fertigende Prozessoren sind, dürfte Intel die Knights Hill erst in ein paar Jahren in Serie herstellen. Der 10-Nanometer-Prozess könnte sich zudem ebenso verzögern wie die 14-Nanometer-Fertigung.

Im HPC-Segment sind weit vorgreifende Roadmaps üblich, da Supercomputer-Installationen viele Jahre Vorbereitungs- und Bauzeit benötigen und die Hersteller gerne frühzeitig wissen möchten, welche Chips sich für ihre Systeme eignen.

Ein wichtige Information ist daher das 2014 vorgestellte, von Omni Scale in Omni Path umbenannte Fabric: Die optische Verbindung von Prozessoren oder Nodes soll bis zu 48 Ports bieten, die Latenz 56 Prozent geringer sein als bei Infiniband.

Weitere Details zu Omni Path oder Knights Hill hat Intel nicht bekanntgegeben. Die Rechenleistung der kommenden Xeon Phi dürfte sich verglichen mit Knights Landing bei Double Precision mindestens verdoppeln. Knights Hill könnte somit über 6 DP-Teraflops erreichen.  (ms)


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