XG6: Toshibas SSD ist die erste mit 96-Layer-Flash-Speicher

Mit der XG6 bringt Toshiba eine flotte NVMe-SSD für Notebooks auf den Markt. Das Drive nutzt den hauseigenen 3D-Flash-Speicher mit 96 Zellschichten und erreicht über 3 GByte pro Sekunde.

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Die XG6-SSD für Notebooks
Die XG6-SSD für Notebooks (Bild: Toshiba)

Toshiba hat die XG6 vorgestellt, eine SSD in einseitig bestückter M.2-2280-Bauweise. Sie ist primär für Notebooks gedacht und wird derzeit an Partner ausgeliefert, wir erwarten damit ausgestattete Geräte in den kommenden Monaten. Die XG6 folgt auf die häufig eingesetzte XG5, wird aber die XG5-P mit höherer Speicherkapazität von bis zu 2 TByte statt bis zu 1 TByte nicht ersetzen.

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Für die XG6 nutzt Toshiba den zusammen mit Western Digital entwickelten BiSC4-NAND: Dieser 3D-Flash-Speicher hat 96 Schichten aus 3-bittigen Zellen und wird mit 256 GBit sowie mit 512 GBit gefertigt - für später ist eine Variante mit 4 Bit pro Zelle und 1,33 TByte geplant. Für die XG6 verwendet Toshiba je nach Kapazität die Dies mit 256 GBit oder 512 GBit, zum Controller äußerte sich der Hersteller nicht. Er nutzt aber vier PCIe-Gen3-Lanes und das NMVe-1.3a-Protokoll.

Hohe Geschwindigkeit von über 3 GByte/s

Die XG6 wird mit 256 GByte, mit 512 GByte und mit 1 TByte angeboten. Toshiba zufolge liest sie Daten sequenziell mit bis zu 3.180 MByte pro Sekunde und schreibt sie mit bis zu 2.960 MByte pro Sekunde, die IOPS liegen bei 355K/365K. Die ältere XG5 schafft 3 GByte/s und 2,1 GByte/s - wobei das allerdings nur für das größte Modell gilt. Das mit 256 GByte liefert 2,7 GByte/s und 1,05 GByte/s, weil weniger Flash-Dies verbaut sind. Die neue XG6 dürfte dieses Problem nicht aufweisen.

Toshibas BiCS3 liefert 800 MT/s anstelle von 533 MT/s und hat zugleich eine niedrigere Spannung von 1,2 Volt. Dadurch sollen die XG6-SSDs sparsamer und effizienter arbeiten. Laut Hersteller sind es 4,2 bis 4,7 Watt unter Last und 3 mW im Leerlauf - ohne Tiefschlafmodi, die greifen, wenn die SSD abgeschaltet wird.

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Neben Toshiba haben auch Samsung und Intel sowie Micron eigenen 3D-NAND-Flash-Speicher mit 96 Zellschichten angekündigt. SK Hynix nutzt 72 Layer.

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