Wolfspeed: Infineon verkauft Mobilfunk-Komponentenfertigung an Cree
Infineon trennt sich von einem Bereich für Komponenten, die für Mobilfunknetze gebraucht werden. Cree zahlt dafür 345 Millionen Euro.
Cree kauft für rund 345 Millionen Euro den größten Teil des Geschäfts für Hochfrequenz-Leistungskomponenten von Infineon Technologies. Das gab Infineon am 6. März 2018 bekannt. Cree will damit seinen Bereich Wolfspeed für Mobilfunk-Infrastruktur stärken.
Wolfspeed will so die Führung bei Transistoren und MMICs (Monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen) für drahtlose Infrastruktur-Hochfrequenz-Leistungskomponenten erlangen, die auf den Technologien LDMOS und Galliumnitrid-auf-Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) basieren. Lateral Diffused Metal Oxid Semiconductor (LDMOS) sind Leistungshalbleiter, die in HF-Leistungsverstärkern zur Verstärkung der Sendesignale im Mikrowellenbereich eingesetzt werden, besonders in Basisstationen von Mobilfunknetzen.
Infineon: Verkauf von verschiedenen Standorten
Wolfspeed sei so gut aufgestellt, "um schnellere 4G-Netzwerke und den bevorstehenden Übergang zu 5G, der Mobilfunktechnologie der neuesten Generation, zu unterstützen", sagte Cree-Chef Gregg Lowe. Infineon verkauft seine Haupt-Backend-Fertigungsstätte in Morgan Hill, wo Packaging und Tests für LDMOS und GaN-auf-SiC durchgeführt werden. Zudem gehen internationale Vertriebsbüros und Service-Ingenieure für die Ausrüstung von Mobilfunk-Infrastruktur an Cree. Betroffen sind rund 260 Angestellte an den Standorten Morgan Hill (Kalifornien) und Chandler (Arizona) in den USA sowie in Finnland, Schweden, China und Südkorea,
Infineon erhält von Cree eine langfristige Liefervereinbarung für LDMOS-Wafer und zugehörige Komponenten für seine Fabrik in Regensburg und für Packaging und Tests an seinem Standort Melaka, Malaysia.
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