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Wolfspeed 1700 V SiC-MOSFET
Wolfspeed 1700 V SiC-MOSFET (Bild: Wolfspeed)

Wolfspeed: Infineon kauft Teil von Cree für 850 Millionen US-Dollar

Wolfspeed 1700 V SiC-MOSFET
Wolfspeed 1700 V SiC-MOSFET (Bild: Wolfspeed)

Infineon hat wieder Geld für eine größere Übernahme: Das Unternehmen kauft einen Konzernteil von Cree für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid, die auch für 5G gebraucht werden.

Infineon Technologies plant den Kauf der Cree-Sparte Wolfspeed Power and RF für 850 Millionen US-Dollar, die Technologien und Produkte für Verbindungshalbleiter anbietet. Das gaben Infineon und Cree am 14. Juli 2016 bekannt. Der Kaufvertrag mit Cree umfasst auch das Geschäft mit SiC-Rohscheiben für Leistungshalbleiter und HF-Leistungsbauelemente.

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Cree, ein Hersteller von Leuchtdioden (LEDs), kündigte im vergangenen Jahr an, Wolfspeed auszugründen und an die Börse zu bringen. Der Abschluss der Transaktion unterliegt der Genehmigung verschiedener Behörden und wird für Ende 2016 erwartet.

Infineon-Chef Reinhard Ploss sagte: "Das Geschäft und Know-how von Wolfspeed und Infineon ergänzen sich in hohem Maße. Mit Wolfspeed werden wir zur Nummer 1 bei Leistungshalbleitern auf Basis von Siliziumkarbid (SiC)."

550 Beschäftigte mehr für Infineon

Wolfspeed bietet auch Galliumnitrid-Technologie (GaN), hat seinen Hauptsitz in Research Triangle Park im US-Bundesstaat North Carolina und gehört seit fast 30 Jahren zu Cree. Wolfspeed ist Anbieter von Leistungshalbleitern auf der Basis von SiC und HF-Leistungsbauelementen auf der Basis von GaN-auf-SiC. Dazu gehören auch die Fertigung von Rohscheiben aus Siliziumkarbid und - für HF-Anwendungen - aus Siliziumkarbid mit einer einkristallinen GaN-Schicht. In der Sparte arbeiten 550 Beschäftigte. Zu den Unternehmenswerten gehören rund 2.000 Patente und Patentanmeldungen.

Anwendungen finden sich im Bereich erneuerbarer Energien und in der Automobilindustrie. Die Infrastruktur für die kommenden Mobilfunkstandards wie 5G wird Frequenzen von bis zu 80 Gigahertz nutzen. Für diese hohen Frequenzen würden moderne Verbindungshalbleiter mit hoher Ausgangsleistung benötigt, erklärte Infineon. Halbleiter auf der Basis von GaN-auf-SiC sollen solche Frequenzen ermöglichen. Infinion produziert bereits Silizium-basierte Halbleiter (LDMOS).


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