Videospeicher: Samsung liefert GDDR6 mit doppelter Kapazität
Der südkoreanische Hersteller Samsung hat die Serienproduktion von GDDR6-Videospeicher(öffnet im neuen Fenster) begonnen. Anders als bei Micron und SK Hynix(öffnet im neuen Fenster) werden Chips mit doppelt so hoher Dichte hergestellt: Statt 8 GBit (1 GByte) sind es 16 GBit (2 GByte), was für Grafikkarten der Oberklasse wichtig ist.
Nvidias nächster Chip für ein solches Modell, der GA104 mit Ampere-Technik, könnte mit einem 256-GBit-Interface erscheinen. Da an jedem 32-Bit-Controller ein Speicherbaustein hängt, sind 16 GByte Videospeicher denkbar. Das wäre doppelt so viel wie bei der Geforce GTX 1080 mit GP104-Chip. Bei einem solchen Interface muss der GDDR6 dann aber hoch takten, um genügend Geschwindigkeit in Relation zur Rechenleistung aufweisen zu können.
GDDR6 schafft 72 GByte die Sekunde pro Chip
Samsung spricht von bis zu 18 GBit/s und damit mehr als Micron und als SK Hynix - beide liefern bisher 16 GBit/s und das teils nur als Sample. Die 18 GBit/s reichen für eine Datentransferrate von 576 GByte die Sekunde, das ist mehr als bei einer Titan XP . Auch angesichts des Preises dürfte eine fiktive Geforce GTX 2080 daher eher mit 16-GBit/s- oder 14-Bit/s-GDDR6 ausgestattet sein.
Auf bisherigen Oberklasse-Grafikkarten wird GDDR5X mit bis zu 11 GBit/s oder GDDR5 mit bis zu 9 GBit/s eingesetzt. Samsungs neuer GDDR6 mit 18 GBit/s wird mit einer Spannung von 1,35 Volt betrieben und soll daher ähnlich viel Energie benötigen wie ein GDDR5X-Baustein. Die Chips werden in einem 10-nm-Class-Verfahren gefertigt, bei Samsungs dürfte das 15/16 nm bedeuten.
Der Start der Serienfertigung passt zu Nvidias derzeitigen Planungen: Bisher sind Geforce-Karten mit Ampere-Chips und GDDR6-Videospeicher für Frühsommer 2018 angesetzt. Ampere soll Volta ähneln, jedoch ohne HPC-Technik, und ebenfalls im 12FFN-Verfahren hergestellt werden.