V-NAND v6: Samsungs Flash-Speicher hat 136 Schichten
Die sechste Generation von Samsungs 3D-Flash-Speicher erhöht die Anzahl der Layer von 96 auf 136, es bleibt jedoch vorerst bei einer Kapazität von 256 GBit pro Die. Somit sind die Chips kleiner, schneller und sparsamer.
Die sechste Generation von Samsungs Flash-Speicher V-NAND v6 mit vertikal gestapelten Zellschichten befindet sich in der Serienfertigung: Samsung hat ihn auf dem Flash Memory Summit 2019 im kalifornischen Santa Clara den V-NAND v6 vorgestellt. Eine erste Sata-SSD für OEMs mit 250 GByte Fassungsvermögen wird auch schon produziert.
Der V-NAND v6 hat 136 Layer und eine Kapazität von 256 GBit , später im Jahr sollen auch 512-GBit-Chips folgen. Verglichen zum V-NAND v5 von 2018 spricht Samsung von einer höheren Ausbeute, einer gestiegenen Geschwindigkeit und einer besseren Effizienz.
Der V-NAND v6 hat 136 statt 96 Layer, die meisten Schichten bestehen aus Zellen mit drei Bit (Triple Level Cell, TLC). Wie gehabt, wird ein Charge-Trap-Design verwendet, das Logik-Die als einer der 136 Layer befindet sich aber nun offenbar unter dem eigentlichen NAND-Stack. Samsung zufolge soll die Latenz für Lese- und Schreibzugriffe mit 45 μs und 450 μs sehr niedrig ausfallen. Überdies sind die Chips demnach kleiner und benötigen weniger Fertigungsschritte, die Fertigungsausbeute steigt daher um 20 Prozent.
Hinsichtlich der Leistung spricht Samsung von einer mehr als 10 Prozent höheren Geschwindigkeit und einer um mehr als 15 Prozent besseren Energieeffizienz verglichen mit dem bisherigen V-NAND v5. Für die Chips mit 512 GBit statt 256 GBit sieht Samsung ebenfalls drei Bit pro Zelle vor, von einer QLC-Variante (Quad Level Cell) ist in der Pressemitteilung keine Rede.
Allerdings sollen in der Fab in Pyeongtaek in Südkorea nächstes Jahr auch Dies mit größerer Kapazität produziert werden: Bisher gibt es den älteren V-NAND v5 mit QLC und 1 TBit, etwa für die 860 QVO genannte Billig-SSD.
Die meisten SATA SSDs sind innen tatsächlich genau so leer wie es das Bild suggeriert...
Kommentieren