V-NAND v5: Samsung zeigt 1-TBit-Chip und 128-TByte-SSD
Der südkoreanische Speicherhersteller Samsung hat auf dem Flash Memory Summit neue NAND-Technologien und darauf basierende Produkte vorgestellt. Auf den im vergangenen Jahr gezeigten V-NAND v4 folgt dieses Jahr der V-NAND v5(öffnet im neuen Fenster) , so nennt Samsung seinen 3D-Flash-Speicher mit mehreren Zellschichten. Die neue Generation schafft 1 Terabit Kapazität pro Die, es werden 96 statt 64 Layer verwendet. Die Südkoreaner setzen wie die Konkurrenz auf QLC (Quadruple Level Cells), also Zellen, die vier statt drei Bit sichern.
Mit 16 solcher 1-TBit-Dies in einem Package sind daher Chipgehäuse mit 2 Terabyte möglich. Samsung geht allerdings noch weiter und stapelt 32 Dies übereinander, um so eine 2,5-Zoll-SSD mit 128 Terabyte Kapazität zu entwickeln, wie PC Perspective(öffnet im neuen Fenster) berichtet. Der V-NAND v5 soll auch für SSDs im NGSFF (Next Generation Small Form Factor) alias M.3 sowie in Ruler-Bauweise (Lineal)(öffnet im neuen Fenster) verwendet werden. Samsung nennt die PM983 mit 16 Terabyte, ein 1U-Gehäuse kommt mit 36 davon auf 576 Terabyte.
Ein weiteres Thema war der Z-NAND v2, der auf den Z-NAND von 2016 folgt. So nennt Samsung speziellen Flash-Speicher mit Single Levels Cells (SLC), die ein Bit sichern. Die neue Generation nutzt zwei Bit (Multi Level Cell, MLC) und soll die Kapazität steigern, die Latenz erhöht sich allerdings um 2 bis 3 µs. Die darauf basierende SZ985 soll unter 15 µs für Lesezugriffe benötigen. Gedacht sind die Z-SSDs etwa für Data Center mit Echtzeitanalysen.