V-NAND v5: Samsung zeigt 1-TBit-Chip und 128-TByte-SSD

Flash Memory Summit 2017

Vier statt drei Bit pro Speicherzelle und noch mehr Schichten: Samsungs V-NAND v5 genannter Flash-Speicher liefert doppelt so viel Kapazität wie bisher. Obendrein gibt es einen neuen Formfaktor für Server-SSDs und eine zweite Generation von Z-NAND.

Artikel veröffentlicht am 9. August 2017, 12:35 Uhr, Marc Sauter

Samsung zeigt den V-NAND v5 (Bild: Allyn Malventano/PC Perspective)

Der südkoreanische Speicherhersteller Samsung hat auf dem Flash Memory Summit neue NAND-Technologien und darauf basierende Produkte vorgestellt. Auf den im vergangenen Jahr gezeigten V-NAND v4 folgt dieses Jahr der V-NAND v5, so nennt Samsung seinen 3D-Flash-Speicher mit mehreren Zellschichten. Die neue Generation schafft 1 Terabit Kapazität pro Die, es werden 96 statt 64 Layer verwendet. Die Südkoreaner setzen wie die Konkurrenz auf QLC (Quadruple Level Cells), also Zellen, die vier statt drei Bit sichern.

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Samsung zeigt den V-NAND v5. (Foto: Allyn Malventano/PC Perspective)

Mit 16 solcher 1-TBit-Dies in einem Package sind daher Chipgehäuse mit 2 Terabyte möglich. Samsung geht allerdings noch weiter und stapelt 32 Dies übereinander, um so eine 2,5-Zoll-SSD mit 128 Terabyte Kapazität zu entwickeln, wie PC Perspective berichtet. Der V-NAND v5 soll auch für SSDs im NGSFF (Next Generation Small Form Factor) alias M.3 sowie in Ruler-Bauweise (Lineal) verwendet werden. Samsung nennt die PM983 mit 16 Terabyte, ein 1U-Gehäuse kommt mit 36 davon auf 576 Terabyte.

Ein weiteres Thema war der Z-NAND v2, der auf den Z-NAND von 2016 folgt. So nennt Samsung speziellen Flash-Speicher mit Single Levels Cells (SLC), die ein Bit sichern. Die neue Generation nutzt zwei Bit (Multi Level Cell, MLC) und soll die Kapazität steigern, die Latenz erhöht sich allerdings um 2 bis 3 µs. Die darauf basierende SZ985 soll unter 15 µs für Lesezugriffe benötigen. Gedacht sind die Z-SSDs etwa für Data Center mit Echtzeitanalysen.