V-NAND v5: Samsung fertigt 92-Layer-Flash-Speicher

Die Serienproduktion des V-NAND v5 ist angelaufen. Samsungs Flash-Speicher hat 92 Schichten und vorerst 256 GBit pro Die. Er nutzt ein DDR4-Interface für mehr Geschwindigkeit - dennoch ist der NAND sparsam.

Artikel veröffentlicht am 10. Juli 2018, 10:17 Uhr, Marc Sauter

V-NAND v5 (Bild: Samsung/Montage: Golem.de)

Der südkoreanische Speicherhersteller Samsung hat die Massenfertigung des V-NAND v5 gestartet. Nachdem der 3D-Flash-Speicher im Spätsommer 2017 angekündigt wurde, folgt nun die offizielle Vorstellung: Samsung setzt auf 92 Zellschichten statt auf 64 wie noch beim bisher aktuellen V-NAND v4, der beispielsweise in der 970 Evo/Pro SSD steckt. Jede Zelle sichert 3 Bit, weshalb es sich um sogenannten TLC-Speicher (Triple Level Cell) handelt.

Vorerst produziert Samsung den V-NAND v5 mit einer Kapazität von 256 GBit pro Die, wohingegen es den V-NAND v4 mittlerweile auch mit 512 GBit gibt. In den nächsten Monaten werden die Südkoreaner aber von TLC auf QLC (Quad Level Cell) mit 4 Bit pro Zelle umstellen, dann soll ein Chip auf 1 GBit Speicherplatz kommen. Weil die Anzahl an Ladungszuständen von 8 auf 16 Spannungsstufen steigt, ist eine aufwendigere Fehlerkorrektur als etwa bei TLC erforderlich.

Für den V-NAND v5 wechselt der Hersteller von einem DDR3-Toggle-Interface auf eine DDR4-Schnittstelle, die Geschwindigkeit soll von 1 GBit/s auf 1,4 GBit/s steigen. Die Latenz, um eine Zelle zu beschreiben, sei um 30 Prozent auf 500 µs reduziert worden und die Leselatenz sei mit 50 µs drastisch geringer als bisher. Weil zugleich die Spannung von 1,8 Volt auf 1,2 Volt gesunken ist, liegt die Energieeffizenz laut Samsung dennoch auf dem gleichen Niveau. Zudem soll die Zellenhöhe um 20 Prozent niedriger ausfallen - was dafür spricht, dass nicht mehr 18 nm (1Y), sondern eine feinere Fertigung wie 1Y oder 1Z verwendet wird. Die Pressemitteilung sagt dazu aber nichts.

Mit dem neuen 3D-Flash-Speicher soll der Ausstoß zudem um 30 Prozent verbessert worden sein. Dabei ist aber unklar, ob Samsung von Wafern spricht oder auf Bit-Basis zählt. Die geringeren Kosten dürften ohnehin erst langsam an den Kunden weitergegeben werden, zudem startet der V-NAND v5 zuerst im Serversegment.