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Fab S3
Fab S3 (Bild: Samsung)

System-on-a-Chip: Samsung startet 10LPP-Serienfertigung

Fab S3
Fab S3 (Bild: Samsung)

In Südkorea laufen die neuen Chips für Samsungs Galaxy S9 vom Band: Der Auftragsfertiger hat die Masssenproduktion von SoCs mit 10LPP-Verfahren begonnen. Neben dem hauseigenen Exynos 9810 dürfte das Qualcomms Snapdragon 845 sein.

Samsung hat den Start der Serienfertigung von SoCs mit 10LPP-Verfahren verkündet. Das steht für 10 nm Low Power Plus und damit die zweite 10-nm-FinFet-Generation nach 10LPE (10 nm Low Power Early). Hinter den SoCs verbergen sich Chips für Smartphones, aller Wahrscheinlichkeit nach der Exynos 9810 und der Snapdragon 845, die beide im Galaxy S9 verbaut werden dürften.

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Verglichen mit dem 10LPE-Prozess soll die 10LPP-Fertigung eine um 10 Prozent höhere Taktrate oder eine um 15 Prozent geringere Leistungsaufnahme bei gleicher Chipfläche ermöglichen. Obendrein soll die Ausbeute (yield) viel höher ausfallen, was gerade bei Smartphone-SoCs, die in großer Menge produziert werden, wichtig ist. Hinzu kommt, dass die Fab S3 im südkoreanischen Hwaseong ihre Arbeit mit dem 10-nm-Verfahren aufgenommen hat. Später soll dort auf 7 nm mit EUV-Strahlung gefertigt werden. Erste Geräte mit den neuen 10LPP-Chips erwartet Samsung für Anfang 2018, was mit dem kolportierten Zeitraum für das Galaxy S9 zusammenfällt.

  • Node-Roadmap (Foto: Samsung via EE-Times)
Node-Roadmap (Foto: Samsung via EE-Times)

Den Exynos 9810 hat Samsung vor einigen Tagen beiläufig angekündigt: Das System-on-a-Chip nutzt die dritte Generation an selbst entwickelten ARM-Kernen, sie heißen daher wohl M3 (Mongoose) und folgen auf die M2- und die von uns näher beleuchteten M1-Cores. Wie viele Kerne der Exynos 9810 hat, bleibt offen. Die integrierte GPU soll schneller sein, das Cat16-LTE-Modem schafft 1,2 GBit die Sekunde im Downstream. Zum Snapdragon 845 liegen bisher keine offiziellen Informationen vor.

Auf 10LPP wird Samsung noch 8LPP folgen lassen, der Prozess basiert auf dem bisherigen 10LPP-Verfahren, soll aber Vorteile bei der Gate-Dichte und der Taktbarkeit der Transistoren aufweisen.


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Arsenal 29. Nov 2017

Da die Fehlerstellen häufig eine Störung an einer Stelle auf dem Wafer ist und somit...

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