Storage Class Memory: HP und Sandisk kontern Intels 3D-Xpoint-Speichertechnik

Intel und Micron sind mit 3D Xpoint vorgeprescht, HP und Sandisk folgen: Storage Class Memory heißt die neue Speichertechnik, die Vorteile von RAM und Flash vereint und in einem Punkt besser als IMFTs Speicher sein soll. Der Zeitplan ist jedoch unklar.

Artikel veröffentlicht am 9. Oktober 2015, 15:46 Uhr, Marc Sauter

Älterer 32-GBit-Chip mit ReRAM (Bild: HP / Sandisk)

HP und Sandisk haben einen eigenen Storage Class Memory (SCM) angekündigt, also Speicher ähnlich Intels und Microns (IMFT) sogenannter 3D Xpoint. Die Marketingabteilung spricht von bis zu 1.000fach höherer Geschwindigkeit verglichen mit NAND-Flash-Chips und bis zu 1.000fach mehr Haltbarkeit, also im Prinzip das Gleiche, was IMFT propagiert.

Genauso wie Intel und Micron sprechen auch HP und Sandisk von einer erwarteten höheren Datendichte verglichen mit DRAM, die Kosten sowie die Leistungsaufnahme sollen geringer sein. Interessant ist die Aussage, Storage Class Memory sei langlebiger als DRAM - ein Unterschied zu den Anpreisungen, die IMFT für 3D Xpoint tätigt. Wahrscheinlich sind beide Speichertechniken ähnlich, bisherigen Vermutungen zufolge handelt es sich um eine spezielle Variante von Phase Change Memory oder aber ReRAM.

Während IMFT jedoch erste Produkte basierend auf 3D Xpoint für 2016 in Aussicht gestellt hat und Intel auf dem IDF im August 2015 eine Optane-SSD live vorführte, nennen HP und Sandisk keinen Veröffentlichungszeitraum für ihren Storage Class Memory. Die beiden Partner erwarten allerdings, dass die Speicherlösungen basierend auf Storage Class Memory den Computing-Markt in den kommenden Jahren revolutionieren werden.

Kurz: Laut IMFTs, HPs und Sandisks Marketing-Sprech ist Storage Class Memory etwas, was sich mittelfristig zu einem Standard entwickeln dürften. Er schließt die Lücke zwischen DRAM und NAND-Flash und soll zu Beginn als DIMMs oder PCIe-Steckkarten verfügbar sein. Micron sieht weitere Anwendungsszenarios in Notebooks und Smartphones.