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ST-MRAM: Everspin vervierfacht Speicherdichte auf 256 MBit

Von 64 auf 256 MBit und 1 GBit noch dieses Jahr: Everspin hat die Serienfertigung von magnetischem Speicher (ST-MRAM) mit deutlich gesteigerter, nämlich vierfacher Kapazität gestartet.

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ST-MRAM vom Typ EMD3D256M
ST-MRAM vom Typ EMD3D256M (Bild: Everspin)

Das Freescal-Spin-off Everspin hat vor einigen Tagen einen neuen Speicherdichte-Rekord bei ST-MRAM aufgestellt: Die neuen EMD3D256M-Bausteine fassen 256 MBit, was umgerechnet 32 MByte entspricht. Sogenannter Spin Torque Magnetoresistive Random Access Memory (ST-MRAM) ist ein nicht flüchtiger Speichertyp so wie NAND-Flash oder Phase Change Memory, Daten werden anders als bei SDRAM also auch ohne Stromzufuhr gesichert.

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Bisher lieferte Everspin einzig ST-MRAM mit einer Kapazität von 64 MBit aus, für das laufende Jahr plant der Hersteller sogar die Produktion von 1-GBit-Bausteinen. Die aktuellen EMD3D256M-Modelle mit 256 MBit verfügen über ein DDR3-Interface, was es Kunden einfach macht, die Speicherchips in ihre Systeme zu integrieren. Aktuelle DDR3-Bausteine weisen eine Dichte von 16 GBit und eine ähnliche Latenz auf wie ST-MRAM, benötigen aber einen Refresh.

  • ST-MRAM vom Typ EMD3D256M (Bild: Everspin)
  • Gefertigt wird bei Globalfoundries. (Bild: Everspin)
  • Der ST-Effekt vereinfacht Shrinks. (Bild: Everspin)
  • ST-MRAM ist in vielen Szenarien denkbar. (Bild: Everspin)
  • Buffalo stattete 2013 eine SSD mit ST-MRAM aus. (Bild: Everspin)
ST-MRAM vom Typ EMD3D256M (Bild: Everspin)

Verglichen mit NAND-Flash spricht Everspin von einer drastisch höheren Haltbarkeit und Schreibgeschwindigkeit, bei der Kapazität ist ST-MRAM allerdings unterlegen - die Messlatte sind 384 GBit, genauer IMFTs 3D-NAND mit TLCs. Eine der Ideen ist es, bei Server-SSDs statt auf flüchtigen SDRAM und Stützkondensatoren auf nicht flüchtigen ST-MRAM zu setzen. Bisher wird die Technik unter anderem im Automotive-, im Embedded-, im IoT- und im Smart-Meter-Segment sowie bei einigen SSDs verwendet.

Wie es der Name bereits impliziert, arbeitet ST-MRAM mit zwei magnetischen Feldern und dem Spin-Torque-Effekt. Letzterer verringert die zum Schreiben eines Bits nötige Energiemenge und ermöglicht einfachere Shrinks, die für höhere Kapazitäten unerlässlich sind. Eine andere Idee eines schnellen, haltbaren und nicht flüchtigen Speichers verfolgen Intel und Micron mit 3D Xpoint. Diese Technik arbeitet mit zwei Phasen, also unterschiedlich hohen Widerständen, statt mit einer Magnetisierung.

  • ST-MRAM vom Typ EMD3D256M (Bild: Everspin)
  • Gefertigt wird bei Globalfoundries. (Bild: Everspin)
  • Der ST-Effekt vereinfacht Shrinks. (Bild: Everspin)
  • ST-MRAM ist in vielen Szenarien denkbar. (Bild: Everspin)
  • Buffalo stattete 2013 eine SSD mit ST-MRAM aus. (Bild: Everspin)
Der ST-Effekt vereinfacht Shrinks. (Bild: Everspin)

Everspin lässt die EMD3D256M-Bausteine beim Auftragsfertiger Globalfoundries auf 300-mm-Wafern im 40-nm-Low-Power-Verfahren produzieren. Die kommende 1-GBit-Variante soll in einem nicht näher benannten 28-nm-Prozess hergestellt werden, ebenfalls auf 300-mm-Wafern bei Globalfoundries.

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RicoBrassers 19. Apr 2016

Man könnte aber z.B. extra Optionen im Ausschalten-Dialog auswählen: - "Power Off...

burningcf 19. Apr 2016

Ja, ab dem Satz wurden Mbit immer mit Gbit verwechselt. Alle anderen Werte weiter im Text...

ms (Golem.de) 19. Apr 2016

Das Satzdreher, korrigiert. Weiter oben und unten im Text steht (S)DRAM, was somit auch...


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