SSDs: Micron startet Serienfertigung von 3D-NAND-Flash
Der Speicherhersteller Micron hat die Serienfertigung von 3D-NAND-Flash gestartet, verfügbar ist der Speicher mit Zellen, die zwei (MLC) oder drei (TLC) Bits sichern. Ein Die mit Multi-Level-Cells weist eine Kapazität von 256 GBit, also 32 GByte, auf und ein Chip mit Triple-Level-Cells liefert 384 GBit, was 48 GByte entspricht. Angekündigt wurde der neue Speicher im Frühling 2015.
Anders als beispielsweise Samsung verwendet Micron für seine gestapelten Speicherzellen die Floating-Gate- statt der Charge-Trapping-Technik. Letztere belegt etwas mehr Platz auf dem Die, allerdings packt Micron einen Großteil des Logikparts ( über 75 Prozent(öffnet im neuen Fenster) ) unterhalb der Floating-Gate-Speicherzellen, statt ihn mit in jede Schicht zu integrieren. Das verringert die Chipfläche und erhöht die Dichte pro mm², obwohl keine Charge-Trapping-Zellen verwendet werden. Zum Fertigungsprozess des 3D-Speichers wollte sich Micron nicht äußern.
Für kommende Produkte im Consumer- und Enterprise-Segment nennt Micron unterschiedliche Kapazitäten: Eine SSD im M.2-Format soll beispielsweise mehr als 3,5 TByte und das 2,5-Zoll-Modell mehr als 10 TByte sichern. Kurz nachgerechnet: Ein Package mit 16 TLC-Chips fasst 768 GByte, 16 davon resultieren in rund 12 TByte. Auf einer M.2-SSD mit vier Chipgehäusen und der üblichen 2280-Bauweise wären 3 TByte möglich. Micron nennt für kommende SSDs bis zu 2 TByte im Consumer-Segment (2,5 Zoll) und 1 TByte bei Single-Sided-M.2-Flash-Drives, wie sie in vielen Ultrabooks eingesetzt werden.
Micron möchte SSDs mit dem 3D-NAND-Flash-Speicher im Juni 2016 vorstellen. Die Consumer-Versionen sollen mit einem Controller von Silicon Motion ausgestattet sein, so wie bisher schon die BX100 und die BX200 . Wir erwarten neue Crucial-Modelle zur Computex-Messe in Taiwan.
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