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Daten des E12 und des S12
Daten des E12 und des S12 (Bild: Phison)

SSD-Controller: Phisons neuer E12 soll über 3 GByte/s erreichen

Daten des E12 und des S12
Daten des E12 und des S12 (Bild: Phison)

Mehr Leistung für SSDs: Phisons E12-Controller nutzt acht Kanäle sowie PCIe Gen3 x4 und das NVMe-Protokoll. Der S12-Controller dagegen ist für Sata-Modelle mit 4-Bit-Flash-Speicher gedacht.

Phison hat auf dem Flash Memory Summit 2017 mehrere neue SSD-Controller vorgestellt. Der E12 ist das kommende High-End-Modell für schnelle Drives, der S12 ist für zukünftige Mittelklasse-SSDs mit viel Speicherplatz gedacht. Beide Controller zeigen, wie wichtig eine aufwendige Fehlerkorrektur ist.

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  • E12 und S12 (Bild: Phison)
  • QLC ist der nächste Schritt. (Bild: Phison)
  • E8 (Bild: Phison)
  • E8T (Bild: Phison)
  • S10 (Bild: Phison)
  • S11T (Bild: Phison)
E12 und S12 (Bild: Phison)

Der E12-Controller folgt auf den E7-Controller, den Phison vor zwei Jahren angekündigt hatte - er wird unter anderem auf der Corsair Force MP500 und der Zotac Sonix verwendet. Der S12 nutzt erneut acht Kanäle, um Flash-Speicher anzusprechen und kann mit 3D-NAND umgehen der bis zu drei (Triple Level Cell) oder vier (Quadruple Level Cell) Speicherzellen nutzt.

Er ist per PCIe Gen3 x4 an das System angeschlossen und unterstützt das NVMe-Protokoll. Phison zufolge erreicht der E12-Controller eine sequenzielle Datentransferrate von 3,2 GByte die Sekunde lesend und 3,0 GByte pro Sekunde schreibend. Die Input-/Ouput-Operationen sollen bei 600.000 IOPS liegen.

QLC ist die (nahe) Zukunft

Bei der S12 handelt es sich um einen Controller mit Sata-6-GBit/s-Schnittstelle, was in etwas unter 600 MByte die Sekunde resultiert. Auch hier wird 3D-NAND-Flash-Speicher mit TLC- und QLC-Aufbau unterstützt, womit auch LDPC (Low Density Parity Check) einher geht. Diese aufwendige Fehlerkorrektur ist notwendig, da bei vier Bit pro Zelle ansonsten die Haltbarkeit sinkt.

QLC-Speicher gibt es von Flash Forward, also Toshiba (BiCS4) und Western Digital (BiCS3 X4), sowie von Samsung (V-NAND v5). Quadruple Level Cells weisen 16 statt 8 Spannungszustände wie bei Triple Level Cells auf.


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