Speicherchips: Samsung fertigt schnelles 10-Nanometer-Flash mit 128 GBit
Auf Basis von MLC-Flash mit 3 Bits pro Speicherzelle hat Samsung die Serienfertigung von neuen Speicherbausteinen begonnen. Das Unternehmen nennt die genaue Strukturbreite nicht, spricht aber davon, dass sie der "10-Nanometer-Klasse" angehört.
Gefertigt wird nun ein Die mit 128 Gigabit Kapazität, das mit einer Schnittstelle nach Toggle-DDR2(öffnet im neuen Fenster) versehen ist. Damit soll ein einzelner Chip eine Datenrate von 400 Megabit pro Sekunde erreichen. Acht der Bausteine, also 128 Gigabyte Flash-Speicher, die von einem Mehrkanal-Controller angesprochen werden, könnten so theoretisch Übertragungsraten von 400 Megabyte pro Sekunde schaffen.
Derart schnelle Speicherkarten, die es noch nicht gibt, sind offenbar das Ziel von Samsung. Das Unternehmen betont in seiner Vorstellung(öffnet im neuen Fenster) der neuen Flash-Bausteine, sie sollten die Verfügbarkeit von 128-GByte-Karten erhöhen. Gemeint ist damit wohl nur Samsung als Anbieter, andere Unternehmen liefern beispielsweise SD-Karten mit 128 GByte seit langem.
Durch die hohe Speicherdichte auf den 10-Nanometer-Chips will Samsung künftig auch mehr SSDs mit Kapazitäten über 512 GByte anbieten, die dann dem aktuellen Preisverfall folgend auch bezahlbar werden dürften. Das soll Samsung zufolge auch bei Desktop-PCs den Umstieg auf SSDs beschleunigen.
Das erste 10-Nanometer-Flash ist der neue Baustein nicht - der kam ebenfalls im November 2012 von Samsung, allerdings nur mit 64 Gigabit Kapazität pro Chip. Offenbar läuft die Fertigung in den südkoreanischen Halbleiterwerken also schon so rund, dass Samsung nun auch die größere Kapazität anbieten kann.