Solid State Drive: Samsung startet Serienfertigung von 3D-NAND mit TLC-Technik

Als erster Hersteller hat Samsung angekündigt, 3-Bit-Flash-Speicher mit gestapelten Zellschichten in Serie zu fertigen. 3D-NAND erhöht die Kapazität pro Speicherchip und macht die Produktion günstiger.

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Speicherchips mit V-NAND
Speicherchips mit V-NAND (Bild: Samsung)

Samsung hat mit der Serienfertigung von V-NAND begonnen. Bereits verfügbare Produkte mit diesen dreidimensionalen Speicherchips sind noch mit Bausteinen aus der Vorserienproduktion ausgestattet worden. Die Südkoreaner sind damit die Ersten, die V-NAND in Serie fertigen.

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Das V steht für vertikal (3D), da V-NAND im Falle von Samsung insgesamt 32 Schichten aus Speicherzellen übereinanderstapelt und so einen Baustein mit 128 Gigabit Kapazität (16 Gigabyte) bildet. Das ist deutlich mehr als mit planarem Flash, das Samsung zusätzlich TLC einsetzt: Beim teuren Single-Level-Cell wird nur je ein Bit pro Zelle gespeichert, bei Multi-Level-Cell für gewöhnlich zwei, eine Triple-Level-Cell speichert 3 Bit pro Zelle.

  • Mehrere Speicherchips mit V-NAND (Bild: Samsung)
Mehrere Speicherchips mit V-NAND (Bild: Samsung)

Samsung spricht von einer mehr als verdoppelten Wafer-Produktion, womit gemeint ist, dass aufgrund der gestiegenen Kapazität pro Fläche mehr als doppelt so viele 128-Gigabit-Chips aus einem Wafer gewonnen werden können wie mit 2D-Flash. Über die Yield-Rate, sprich die prozentuale Anzahl an funktionstüchtigen Speicherbausteinen, sagt dies aber nichts aus.

Bisher verbaut Samsung den selbst produzierten V-NAND in Consumer- wie Enterprise-SSDs: Das erste Solid State Drive mit der Stapeltechnik war die Samsung 850 Pro. Später folgte die Samsung SM1715, eine PCIe-SSD mit 3,6 Terabyte Speicherplatz.

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Ausgehend von derzeit 128 Gigabit Kapazität (16 Gigabyte) möchte Samsung zukünftig Chips mit 1 Terabit (128 Gigabyte) produzieren - wann hier die Fertigung serienreif ist, hat der Hersteller noch nicht prognostiziert.

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