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Snapdragon 5G: Qualcomm nutzt Samsungs 7LPP-EUV-Fertigung

Kommende Snapdragon-Chips mit 5G-Unterstützung wird Qualcomm bei Samsung im 7-nm-Low-Power-Plus-Verfahren (7LPP) mit extrem ultravioletter Belichtung (EUV) herstellen lassen. Konkurrent TSMC scheint damit außen vor.

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5-nm-Transistoren mit Gate All Around Fets
5-nm-Transistoren mit Gate All Around Fets (Bild: IBM)

Qualcomm hat eine weitere Kooperation mit Samsung für die Fertigung kommender Snapdragon-Chips für Smartphones bekanntgegeben. Der SoC-Entwickler wird künftige 5G-Snapdragons im 7-nm-Low-Power-Plus-Node (7LPP) bei den Südkoreanern produzieren. Das ist das erste Fertigungsverfahren von Samsung, bei dem extrem ultraviolette Belichtung (EUV) anstelle der bisherigen klassischen Immersionslithographie verwendet wird.

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7LPP soll verglichen mit bisherigen 10-nm-Verfahren eine um bis zu 40 Prozent kompaktere Chipfläche bei einer 10 Prozent höheren Geschwindigkeit oder einer um bis zu 35 Prozent reduzierten Leistungsaufnahme ermöglichen. Zudem seien generell weniger Fertigungsschritte und eine gestiegene Ausbeute (yield) zu erwarten. Qualcomm hat bereits den Snapdragon 835 mit 10LPE (10 nm Low Power Early) und den Snapdragon 845 mit 10LPP (10 nm Low Power Plus) bei Samsung herstellen lassen, der Snapdragon 820 stammt von der TSMC.

  • Node-Roadmap (Foto: Samsung via EE-Times)
Node-Roadmap (Foto: Samsung via EE-Times)

Im Detail äußerte sich Qualcomm nicht, welche zukünftigen Snapdragon-5G-Chips mit 7LPP bei Samsung entstehen sollen. Neben einem dedizierten 5G-Modem ist auch ein Snapdragon-SoC mit 5G denkbar. Zumindest das nächste System-on-a-Chip, wohl Snapdragon 855 genannt, wird aber noch mit einem integrieren LTE-Modem ausgeliefert, dem Snapdragon X24 mit einer Datenrate von bis 2 GBit/s im Downstream. Dennoch könnte Qualcomm das SoC als 5G-Produkt darstellen.

Samsungs Node-Roadmap sieht vor, dass nach 7LPP mit 6LPP eine verbesserte Variante mit noch geringerer Chipfläche und verringerten Leckströmen folgt. Danach stehen 5LPP und 4LPP auf dem Plan, für Letzteres sind GAAF (Gate All Around Fets) statt Fin Fets per Nanosheet geplant.



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