Samsung SSD 840 Evo: Evo-Flashbausteine in 19 Nanometern mit simuliertem SLC

Auf dem SSD Global Summit hat Samsung nun bekanntgegeben, was mit der 10-nm-Klasse bei der Fertigung der Flashbausteine gemeint ist. Die neue Evo-SSD wird in 19 nm gefertigt. Außerdem gab es Details zu dem simulierten SLC-Bereich der SSDs.

Artikel veröffentlicht am 18. Juli 2013, 19:31 Uhr, Andreas Sebayang

Die SSD 840 Evo ist mit 19-Nanometer-Technik nur knapp in der sogenannten 10-Nanometer-Klasse. (Bild: Samsung)

Was Samsung vollmundig als 10-Nanometer-Klasse ankündigt, ist aufgerundet eigentlich eher der 20-nm-Klasse zuzuordnen. Samsungs aktuelle SSD 840 Evo wird nämlich mit 19 nm breiten Strukturen gefertigt. Damit ist Samsung technisch nicht so weit wie etwa Micron, das schon seriennahe Wafer mit MLC-Flash in 16 Nanometer produzieren kann. Microns Wafer werden allerdings erst im vierten Quartal 2013 in der Massenfertigung produziert, was für eine höhere Kapazität oder einen geringeren Preis von SSDs sorgen dürfte.

Samsungs 19-nm-Prozess befindet sich hingegen schon seit April 2013 in der Serienfertigung. Hieran ist gut zu sehen, dass mehrere Monate vergehen können, ehe es zu marktreifen Produkten kommt.

TLC-Speicher ist nicht schnell genug

Samsung hat zudem einige wenige zusätzliche Details zur simulierten SLC-Technik (Single-Level-Cell) in einem Panel verraten. Die Technik hat Samsung entwickelt, da laut eigenen Angaben nur das erste Bit beim 3-Bit-MLC-Speicher (Triple-Level-Cell, TLC) schnell beschrieben werden kann. Jeder Flashbaustein auf der SSD hat einen festen Bereich, der als SLC-Simulation arbeitet. Die SSD schreibt die Daten zuerst dort hinein. Bei der kleinsten SSD mit 120 GByte sind immerhin 3 GByte simulierter SLC-Speicher dabei. Dort schreibt der neue MEX-Controller, der zudem mit 400 statt bisher 300 MHz (Standard-SSD der 840er-Serie) arbeitet, die Daten hinein.

Wenn die SSD zwischendurch nichts zu tun hat, werden die Daten intern in den TLC genannten Restspeicher umbewegt. In der Theorie kann es also vorkommen, dass die SSD bei zu langen Datentransfers drosseln muss. Beim 120-GByte-Modell sinkt dann die Schreibrate von 410 MByte/s per Turbowrite genannter Funktion auf dann nur noch 140 MByte/s. Das 250-GByte-Modell reduziert die Transferrate von 520 auf 270 MByte/s. Auch dieses Modell simuliert 3 GByte SLC-Speicher. Bei den größeren Modellen reduziert sich die Geschwindigkeit nur um 100 MByte/s. Sie haben zudem mindestens 6 GByte simulierten SLC-Speicher, den Samsung auch Turbowrite Buffer nennt.