Samsung: LPDDR5-Speicher mit 16 GBit gestartet
Samsung hat die Serienfertigung von LPDDR5-Arbeitsspeicher mit einer Kapazität von 16 GBit(öffnet im neuen Fenster) aufgenommen. Die neuen Chips weisen daher 50 Prozent mehr Speicherplatz als ihre 12-GBit-Vorgänger auf, weshalb weniger Dies notwendig sind, um ein 16-GByte-Package für Smartphones zu bilden.
Für die Chips verwendet Samsung ein sogenanntes 1Z-Verfahren: Alle Speicherfertiger geben den Node nur grob an – so kann 1X für 18 nm, 1Y für 15 nm und 1Z für 12 nm stehen. Für den LPDDR5 setzen die Südkoreaner zudem auf extrem ultraviolette Belichtung ( EUV ). Verglichen mit klassischer Immersionslithographie (DUV) lassen sich Chips mit weniger Produktionsschritten und geringerer Fehlerrate produzieren, was die Ausbeute (Yield) steigert. Eine komplette Fab mit EUV-Ausrüstung zu versehen, ist allerdings sehr teuer.
Neben dem besseren Yield sind höhere Geschwindigkeiten bei gleicher Leistungsaufnahme möglich, so wie bei Samsung: Der neue LPDDR5 überträgt mit 6,4 GBit/s statt 5,5 GBit/s mehr Daten pro Sekunde. Laut Hersteller fallen die Dies außerdem 30 Prozent flacher aus, was zusammen mit nur acht Chips für ein 16-GByte-Package für dünnere Smartphones sorgen soll. Die Fertigung des LPDDR5-Speichers erfolgt in einer der Fabs im südkoreanischen Pyeongtaek, künftig soll dort neben DRAM auch V-NAND (Flash Speicher) produziert werden.
LPDDR5 ist derzeit der Speicherstandard für High-End-Smartphone-SoCs wie den Snapdragon 865 von Qualcomm oder den Exynos 990 von Samsung selbst. Verglichen mit LPDDR4X gibt es eine höhere Geschwindigkeit, mehr Speicherbänke für parallele Zugriffe und Techniken wie einen Tiefschlafmodus, um Energie zu sparen. Mit Intels Tiger Lake erscheinen zudem bald erste Notebook-Prozessoren, die ebenfalls LPDDR5 unterstützen.
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