QLC-Flash-Speicher: Samsung plant günstigere Sata-SSD mit 4 TByte
Samsung ist zwar nicht vor Ort auf dem Flash Memory Summit 2018, nutzt aber dennoch die zeitliche Nähe für eine Ankündigung: Die Südkoreaner haben die Serienfertigung einer 2,5-Zoll-Sata-SSD mit 4 TByte und QLC-Speicher(öffnet im neuen Fenster) gestartet. Bisher gibt es ein ähnliches Modell, die 860 Evo mit ebenfalls 4 TByte Kapazität, der verwendete 3D-NAND-Flash ist aber ein anderer.
Neu bei der noch namenlosen SSD ist der Speicher mit 4-Bit-Zellen (Quad Level Cells, QLC) und 16 Ladungszuständen. Samsung verwendet allerdings nicht den V-NAND v5 mit 92 Zellschichten und 1 TBit pro Die, sondern den weiterhin aktuellen V-NAND v4 als QLC-Variante mit 64 Layern, den es bisher maximal mit 512 GBit samt 3-Bit-Zellen (Triple Level Cell, TLC) und acht Ladungszuständen gab.
Für das kommende 2,5-Zoll-Laufwerk stapelt Samsung wie üblich 16 Dies in einem Chipgehäuse, für 4 TByte reichen daher gerade einmal zwei Packages auf der Platine. Somit wäre auch ein PCIe-NVMe-SSDs in typischer M.2-Single-Sided-Bauweise als Nachfolger der 970 Evo denkbar. Der Flash-Speicher der neuen SSD wird wie üblich im Pseudo-SLC-Modus angesprochen, also ein Bit pro Zelle geschrieben. Das erhöht die Schreibrate, solange der SLC-Puffer nicht voll ist. Samsung nennt 520 MByte die Sekunde, die Lesegeschwindigkeit liegt bei 540 MByte pro Sekunde – sehr viel mehr überträgt Sata sequenziell nicht.
Im Laufe der kommenden Monate plant Samsung, basierend auf dem QLC-Flash-Speicher mehrere 2,5-Zoll-Sata-SSDs zu veröffentlichen. Neben dem 4-TByte-Modell sind Varianten mit 2 TByte und 1 TByte angedacht. Die Garantie beträgt drei Jahre. Noch 2018 soll überdies die Serienfertigung des V-NAND v5 mit QLC und 1 TBit pro Die anlaufen.
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