Prozessoren: Intel bereitet die Fab D1X für 450-mm-Wafer vor

Als erster Hersteller beginnt Intel, eine Chipfabrik für Prozessoren auf 450-mm-Wafer umzurüsten. Die ersten Chips sollen 2015 gefertigt werden, bis dahin belaufen sich die Investitionen auf mehrere Milliarden US-Dollar.

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Intel erweitert die Fab D1X um das Module 2.
Intel erweitert die Fab D1X um das Module 2. (Bild: Intel)

Vor gut einer Dekade wechselte die Halbleiter-Industrie von 200- auf 300-mm-Wafer, nun hat Intel den Grundstein für die nächste Ausbaustufe gelegt: Wafer mit 450 Millimeter Durchmesser. Eine solche Scheibe wird aus sogenannten Ingots geschnitten, länglichen Zylindern aus Silizium. Aus den einzelnen Wafern werden per Immersionslithographie und weiteren Verarbeitungsschritten Mikrochips gefertigt.

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Für Kreise gilt: Durchmesser durch zwei ergibt den Radius; dieser wird zum Quadrat mit Pi multipliziert und man erhält die Fläche. Der Vorteil von Siliziumscheiben mit 450 Millimetern Durchmesser ist die theoretisch mehr als verdoppelte Anzahl an Chips gegenüber einem 300-mm-Wafer. Die Scheiben an sich sind zwar teurer, jedoch sinken die Produktionskosten pro Chip deutlich und in der gleichen Zeit können davon weitaus mehr produziert werden. Bis es so weit ist, wird Intel jedoch alleine 2013 mehr als zwei Milliarden US-Dollar investieren. Eine neue Fab würde mehr als das Doppelte kosten.

Als Standort für die ersten 450-mm-Wafer dient das neu gebaute Module 2 der Fab D1X, welche in Hillsboro, Oregon, steht. Bis dort 2015 aber die ersten Chips vom Band laufen, wird weiterhin auf 300-mm-Wafern gefertigt. Der 14-nm-Prozess soll in den kommenden Monaten anlaufen, Intel nutzt diesen für den Haswell-Nachfolger Broadwell.

Zudem erlaubt die Kombination aus 450-mm-Wafern und 14-nm-Technik die kostengünstige Produktion von Atom-Prozessoren, die Intel dann zu geringen Preisen anbieten kann - bisher konnten sich diese Chips bei Smartphones und Tablets nicht durchsetzen. Ende des Jahres liefert Intel daher die neuen Atoms mit Silvermont-Architektur aus, vorerst noch mit 22-nm-Fertigung.

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