Project Silicon Silver: Samsung baut USA-Fab für 17 Milliarden US-Dollar

In Texas soll ein zweites Werk entstehen: Dort könnte mit EUV-Belichtung und neuartiger 3-nm-Transistor-Technik gefertigt werden.

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Wafer von Samsung
Wafer von Samsung (Bild: Samsung)

Samsung Foundry hat Unterlagen eingereicht (PDF), denen zufolge in Austin im US-Bundesstaat Texas eine weitere Halbleiterproduktionsstätte errichtet werden soll. Das Gesamtvolumen soll 17 Milliarden US-Dollar umfassen und die Fab über 2.000 Arbeitsplätze schaffen.

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Der Standort wäre nicht neu, dort steht bereits die Fab S2. Außerdem befindet sich in Austin auch ein Werk von Intel (Fab 42) und der weltgrößte Auftragsfertiger TSMC plant, dort eine Produktionsstätte zu errichten. Hinz kommt, dass in Texas auch Unternehmen wie AMD ihren Sitz haben, die bei Samsung Foundry fertigen lassen.

Bisher wird in den USA allerdings einzig mit älterer Technik produziert, die modernsten Fabs stehen im Heimatland von Samsung Foundry - also Südkorea. Während die Fab S2 auf Nodes wie 11LPP bis 8LPP mit Immersionslithographie (DUV) beschränkt ist, wird in der Fab V1 bereits mit feinerem 7LPP bis 5LPE samt extrem ultravioletter Belichtung (EUV) gearbeitet.

  • Standorte der bisherigen Fabs (Bild: Samsung Foundry)
  • Roadmap der Fertigungsprozesse (Bild: Samsung Foundry)
  • Aktuelle Nodes im Überblick (Bild: Samsung Foundry)
Standorte der bisherigen Fabs (Bild: Samsung Foundry)

Intern wird die Austin-Fab als Project Silicon Silver bezeichnet, allerdings macht Samsung Foundry keine Angaben darüber, mit welchen Nodes das Werk produzieren soll. Denkbar wäre, dass das 3GAE-Verfahren mit überarbeiteten Transistoren auch in den USA eingesetzt werden soll.

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Die Abkürzung steht für 3 nm Gate All Around Fet Early, wobei die Betonung auf Gate All Around liegt, bisher waren Finfets üblich. Der Channel - also der Übergang von Source zu Drain - wird hier von drei Seiten vom Gate umfasst, bei GAA-Fet-Transistoren hingegen aus Nanosheets oder Nanowires geformt, weshalb das Gate ihn komplett umschließt.

Verglichen mit dem 7LPP-Verfahren verringert sich Samsung zufolge die Fläche eines Chips um 45 Prozent, zudem soll die Geschwindigkeit um 30 Prozent steigen oder sich die Leistungsaufnahme halbieren. Ungeachtet dessen, ob in der Austin-Fab mit 3GAE produziert wird oder nicht: Der Bau soll noch im zweiten Quartal 2021 beginnen, der Produktionsstart ist für das vierte Quartal 2023 anberaumt.

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