Persistent Memory: HPE verkauft NVDIMMs mit DRAM und Flash

Mehr Geschwindigkeit durch höheren Datendurchsatz und geringere Latenzen: Hewlett Packard Enterprise (HPE) bietet erstmals NVDIMMs für die hauseigenen Server an. Die mit DRAM und Flash-Speicher versehenen Module sind allerdings vergleichsweise teuer.

Artikel veröffentlicht am 31. März 2016, 13:12 Uhr, Marc Sauter

Ein NVIMM-N mit 8 GByte (Bild: HPE)

Hewlett Packard Enterprise (HPE) hat begonnen, NVDIMMs für die Gen9-Server vom Typ Proliant DL360 und Proliant DL380 zu verkaufen. Die basieren auf den bisher noch nicht offiziell verfügbaren Xeon-Prozessoren E5 v4 alias Broadwell-EP, den maximalen Speicherbau beziffert HPE auf bis zu 1.536 GByte pro Node. Jedes NVDIMM nutzt DRAM und Flash-Speicher.

Konkret handelt es sich um Module nach der Bauart NVDIMM-N, bei denen 8 GByte DRAM vom Typ DDR4 mit nicht näher bezeichnetem Flash-Speicher mit 8 GByte Kapazität und einem entsprechenden Controller kombiniert werden. Der Preis eines Sticks beträgt 900 US-Dollar, ein im Server-Umfeld üblicher 8-GByte-RDIMM-Riegel kostet laut HPE hingegen nur 250 US-Dollar.

Bei NVDIMM-N wird der DRAM per Byte oder blockweise angesprochen, da bei einem Stromausfall der Flash-Speicher als Backup der im Arbeitsspeicher vorgehaltenen Daten dient. Folgerichtig entspricht die Geschwindigkeit eines NVDIMM-N der des verwendeten RAMs. Das macht die Technik schneller als per PCIe- oder SAS-Schnittstelle angebundene SSDs, verglichen mit normalem Arbeitsspeicher sind die Daten aber zusätzlich abgesichert.

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Funktionsweise von NVDIMM-N (Bild: Jedec)

Im Vergleich zu einer PCIe-SSD und einem SAS-Flash-Drive nennt Hewlett Packard Enterprise unterschiedliche Leistungssteigerungen: Die Input-/Output-Operationen pro Sekunde sollen um den Faktor 24 und 34 steigen, die nicht näher definierte Datenübertragung um den Faktor 6 sowie 12 und die Zugriffslatenz bei einer SQL-Datenbank um den Faktor 81 sowie 73.

Zukünftig möchte HPE statt DRAM und Flash Intels neuen 3D Xpoint als Persistent Memory verwenden.