NVMe-SSDs: Samsung plant mit 4-Bit-Zellen und PCIe Gen4
Samsung hat auf dem Tech Day im kalifornischen San Jose eine Vielzahl von neuen SSDs für Endkunden und das Serversegment in Aussicht gestellt: Das überarbeitete Portfolio umfasst Modelle mit Sata- oder NMVe-Protokoll, PCIe Gen4 statt PCIe Gen3, 4-Bit- sowie 3-Bit-Flash-Speicher und Z-NAND. Details dazu erfuhr Anandtech(öffnet im neuen Fenster) vor Ort von den Südkoreanern.
Für Consumer plant Samsung die 970 Evo Plus als Nachfolger der 970 Evo. Die kommende SSD wird den V-NAND v5 mit 92 Zellschichten statt mit 64 Layern verwenden, wodurch die sequenzielle Schreibrate steigen soll. An der Kapazität ändert sich nichts, auch die 970 Evo Plus wird es mit 250 GByte bis 2 TByte geben. Vermutlich wird Samsung hier Dies mit 512 MBit statt mit 1 GBit nutzen.
Ebenfalls neu sind die 980 QVO und die 860 QVO, denn das Q signalisiert QLC (Quad Level Cell) mit vier Bit pro Speicherzelle und 16 Ladungszuständen. Die 980 QVO ist ein NMVe-Modell in M.2-2280-Bausweise, die 860 QVO eine Variante mit Sata-Schnittstelle. Weitere Details nannte Samsung vorerst nicht. Im OEM-Segment wird QLC ebenfalls Einzug halten, auf SM (Single Level Cell) und PM (Triple Level Cell) folgt BM (Quad Level Cell): Der Ableger für Notebooks wird BM991 heißen.
Im Highend-Segment für Server wird es die PM1733 geben, die einen Controller mit PCIe Gen4 aufweist und 8 GByte die Sekunde transferieren soll. Parallel dazu sollen die SZ1735 und SZ1733 mit der zweiten Generation des Z-NAND für niedrige Latenzen auf die SZ985 folgen, beide nutzen auch PCIe Gen4.