Non-Volatile Memory: Samsung liefert eMRAM aus

Samsung hat die Serienproduktion von Embedded MRAM, kurz eMRAM aufgenommen. Der sonst gerade bei Kapazitäten offen kommunizierende Hersteller hält sich aber mit Details bedeckt. Die Vorteile von MRAM verglichen mit Flashspeicher sollen enorm sein.

7. März 2019 um 08:44 Uhr / Andreas Sebayang

Samsungs Produktionslinie für eMRAM befindet sich in diesem Gebäude. Bild: Samsung

Die Serienproduktion von Embedded Magnetic Random Access Memory hat bei Samsung begonnen. Es sind die ersten Serienprodukte, die Samsung mit der neuen Technik ausliefert. Produziert werden sie im 28-Nanometer-Prozess (FD-SOI), den Samsung 28FDS nennt. Später will Samsung auch auf kleinere Strukturbreiten (18 Nanometer) und Fertigungstechniken wie Finfet wechseln.

Zur Größe des Speichers macht Samsung überraschenderweise keine Angaben. Auf der Roadmap steht aber noch das Tape-Out, also die Finalisierung vor der Produktion, für den ersten 1-GBit-Baustein im Laufe des Jahres 2019. Das lässt darauf schließen, dass der aktuelle Embedded-MRAM-Teil kleiner ist, sonst hätte Samsung die Zahl genannt. Vielleicht sogar deutlich kleiner, denn einer älteren Pressemeldung zufolge arbeitete Samsung an einer Integration in ein System-on-a-Chip für NXP. Die ARM-basierten i.MX-Anwendungsprozessoren sind aber recht klein. Zudem dauerte es vom damaligen Tape-Out bis zur jetzigen Serienproduktion gut anderthalb Jahre.

eMRAM von Samsung (02:37)

Samsung konzentriert sich vor allem auf Vorteile: Laut Samsung wird nur 1/400stel der elektrischen Leistung benötigt, die ein Schreibvorgang bei eFlash braucht. Genaue Zahlen und Vergleichsobjekte nennt Samsung allerdings nicht. Ähnlich sieht es bei der Angabe zur erhöhten Schreibrate aus, die bei Faktor 1.000 liegen soll. Auch hier fehlen Referenzwerte.

MRAM und andere SCM-Typen werden gebraucht

Die Industrie wartet durchaus auf serientaugliche MRAM-Bausteine für Speicherlösungen. Hersteller wie Dell EMC möchten Storage Class Memory (SCM) einsetzen, worunter auch MRAM fällt. Sie hoffen auf noch höhere Geschwindigkeiten und vor allem verbesserte Latenzen für nichtflüchtigen Speicher. Dell EMC, aber auch HPE über 3Par sind derzeit dabei, Intels Optane-NV-DIMMs einzusetzen. HPE nutzt nichtflüchtigen schnellen Speicher sogar schon für Cache-Anwendungen in seinen 3Par-Storage-Lösungen.