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NAND-Flash: Auch Micron produziert QLC-Speicher

Nach Samsung und Toshiba beginnt Micron mit der Fertigung von Flash-Speicher mit vier Bit pro Zelle, also Quadruple Level Cells. Vorerst sind nur Enterprise-SSDs mit Sata-Interface geplant.

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Micron-Wafer mit QLC-Speicher
Micron-Wafer mit QLC-Speicher (Bild: The Register)

Der NAND-Hersteller Micron hat angekündigt, noch 2018 erste SSDs mit QLC-Speicher zu veröffentlichen. Das berichtet The Register unter Berufung auf einen Vortrag von Micron auf der A3 Technology Live Conference. QLC steht für Quadruple Level Cell und beschreibt Speicherzellen mit 4 Bit, also gleich 16 Ladungszuständen. Bisher üblich ist TLC-Flash mit 3 Bit pro Zelle.

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Laut einer in London gezeigten Roadmap plant Micron vorerst eine Enterprise-SSD mit Sata-Interface zu veröffentlichen. Die sind als direkte Konkurrenz zu klassischen Festplatten mit 7.200 Umdrehungen pro Minute gedacht. Tendenziell hat QLC-Flash eine geringere Haltbarkeit als TLC-Speicher und er erfordert eine aufwendigere Fehlerkorrektur, da mit mehr Ladungszuständen gearbeitet wird. Das verlangsamt überdies Schreibvorgänge, weshalb SSDs mit Quadruple Level Cells vornehmlich für Daten gedacht sind, die gelesen werden.

Micron arbeitet mit Intel zusammen an Flash-Speicher, das Joint Venture heißt IMFT (Intel & Micron Flash Technologies). Folgerichtig wird auch Intel künftig auf QLC setzen, mehrere Händler haben in den vergangenen Wochen die noch nicht angekündigte SSD 660p im M.2-Formfaktor gelistet. Ab der nächsten 3D-Flash-Speicher-Generation trennen sich aber die Entwicklungspfade von Intel und Micron; bei 3D Xpoint werden die Firmen weiter kooperieren.

Neben IMFT produzieren auch Toshiba und Samsung eigenen NAND-Flash mit QLC, konkret den BiCS4 mit 96 Zellschichten und einer Kapazität von 1 TBit pro Chip sowie den V-NAND v5 mit Dies mit ebenfalls 96 Layern und 1 TBit Speicherplatz. Seitens SK Hynix gibt es bisher keine Ankündigung.

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