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Magnet-Speicher: Phison baut Controller für Everspins MRAM

Mit Phison hat ein großer Hersteller von SSD-Controllern eine Unterstützung von Everspins MRAM angekündigt. Der nichtflüchtige Magnet-Speicher ist extrem schnell, weist aber bisher nur eine recht geringe Kapazität auf.

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Phison aktueller E16-Controller mit PCIe Gen4
Phison aktueller E16-Controller mit PCIe Gen4 (Bild: Marc Sauter/Golem.de)

Phisons kommende SSD-Controller-Generation wird mit ST-MRAM von Everspin umgehen können: Der taiwanische Hersteller will für das Enterprise-Segment eine Unterstützung des nichtflüchtigen Magnet-Speichers integrieren. Everspin lässt derzeit ST-MRAM mit 1 GBit pro Chip in 28 nm bei Globalfoundries produzieren.

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ST-MRAM, also Spin Torque Magnetoresistive Random Access Memory, beschreibt einen nicht flüchtigen, auf magnetischer Basis arbeitenden Speichertyp. Ähnlich wie bei NAND-Flash oder Phase Change Memory wie Intel 3D Xpoint alias Optane werden Daten anders als bei SDRAM auch ohne dauerhafte Stromzufuhr gesichert. Bei anderen Lösungen sind spezielle Kondensatoren notwendig, um bei einem Stromausfall etwa DRAM mit Energie zu versorgen.

Überdies ist die Lese- und Schreibgeschwindigkeit bei wahlfreien Zugriffen extrem hoch, schon 2016 zeigte Everspin eine SSD mit 1,5 Millionen IOPS (Inpute/Output Operationen). Gedacht sind solche Modelle als Schreib-Cache mit sehr geringer Latenz für bestimmte Workloads im Enterprise-Umfeld wie dem Finanzsektor. Die 1-GBit-Chips von Everspin nutzen ein DDR4-Toggle-Interface, anders als bei NAND-Flash-SSDs ist kein Overprovisioning für maximale Haltbarkeit und Performance notwendig.

Bisher baut Phison primär Controller für Client-SSDs und Chips für externe SSDs per USB-Anbindung. Aktuell unter anderem den E16 - der erste Controller, der vier PCIe-Gen4-Lanes und eine sequenzielle Leserate von bis zu 5 GByte/s und schreibend von bis zu 4,5 GByte/s unterstützt. Der kommende U17 ist für SSDs mit USB 3.2 Gen 2x2 gedacht und soll bis zu 1,3 GByte/s sowie 1,1 GByte/s erreichen.

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