Leistungselektronik: Infineon produziert erstmals 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon Austria hat auf einer Pilotlinie in der bestehenden 300-Millimeter-Halbleiterproduktion erstmals GaN-Wafer (Galliumnitrid) hergestellt(öffnet im neuen Fenster) . Damit ist der Hersteller weltweit führend, bisher gibt es solche Komponenten nur auf 200-Millimeter-Wafern. Die größeren Wafer haben eine 2,3x höhere Ausbeute an nutzbaren Chips und ermöglichen somit ein höheres Produktionsvolumen für die Technologie.
GaN-Leistungselektronik ist mittlerweile in vielen Einsatzbereichen gefragt, weil die Komponenten hohe Leistungsfähigkeit bei geringem Gewicht und in einem kleinen Formfaktor bieten. Sie werden für Ladegeräte, Solarwechselrichter, Steuerungssysteme in Autos, insbesondere E-Autos und auch in der Stromversorgung für Rechenzentren und deren USV-Systemen (Unterbrechungsfreie Stromversorgung) eingesetzt.
Infineon will die Fertigung so weit optimieren, dass sich Galliumnitrid-Produkte zu den gleichen Kosten wie Siliziumkarbid (SiC) herstellen lassen. Das Unternehmen wird damit zu einem Anbieter, der Wafer wahlweise aus Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid in großem Volumen herstellen kann.
Hohe Nachfrage nach kompakter GaN-Technik
Laut Infineon soll der weltweite Umsatz für GaN-Wafer bis zum Jahr 2030 mehrere Milliarden US-Dollar betragen. Durch den Wechsel zu Wafertechnologie, die größere Produktionsvolumen ermöglicht, sollen die Kosten für GaN-Produkte sinken, was sie für neue Anwendungsgebiete interessant macht.
Das Unternehmen will die neuen 300-Millimeter-Galliumnitrid-Wafer auf der Fachmesse Electronica präsentieren, die vom 12. bis 15. November 2024 in München stattfindet. Den größten Vorteil sieht Infineon darin, dass bestehende Produktionslinien und deren Equipment genutzt werden können. Dadurch kann schnell auf die sich verändernde Nachfrage reagiert werden.