Intel & Samsung: Neue Kooperation bei Halbleiterfertigung möglich
Bei einem Besuch in Südkorea traf Intel-CEO Gelsinger Samsungs Vize-Aufsichtsratsvorsitzenden. Eine neue Kooperation könnte sich anbahnen.
Der Besuch war kurz, könnte aber große Bedeutung haben: Wie die Korea Times und andere Medien melden, haben sich Intels CEO Pat Gelsinger und der Vize-Vorsitzende von Samsungs Aufsichtsrat, Lee Jae-yong, in Samsungs Firmenzentrale in Seoul getroffen. Den Berichten zufolge ging es bei dem Treffen um eine mögliche Kooperation bei der Halbleiterfertigung.
Laut Nikkei Asia bestätigte Samsung das Treffen sowie, dass Möglichkeiten zur Zusammenarbeit ausgelotet wurden. Bei einem gemeinsamen Abendessen seien Speichertechnologien, auftrags- und fablose Halbleiterfertigung diskutiert worden. Käme eine Kooperation zustande, wäre es nach der Zusammenarbeit mit TSMC für Intel bereits die zweite mit einem eigentlich konkurrierenden Unternehmen. Hintergrund sind die stetig steigenden Kosten für die Entwicklung neuer Prozessknoten.
Um wie gewohnt die Integrationsdichte von Transistoren steigern zu können, muss immer mehr Aufwand betrieben werden. In der Vergangenheit hatte Intel große Probleme mit seinem 10-nm-Prozess, aktuell soll Samsung Schwierigkeiten mit seinen 4-nm-Prozessen haben. Beide Unternehmen investieren in den kommenden Jahren viel Geld. Eine Kooperation könnte ihnen erlauben, sich auf ihre jeweiligen Kernkompetenzen zu konzentrieren.
Mögliche Vorarbeit durch Joe Biden
Spekuliert wird zudem, ob US-Präsident Biden das Treffen vermittelt hat. Der hatte im Rahmen eines Staatsbesuchs in Südkorea in der vergangenen Woche eine der modernsten Halbleiter-Fabs von Samsung besucht. Dass das Treffen von Lee und Gelsinger hier angebahnt wurde, liegt also nahe. Um den Einfluss Chinas einzudämmen, suchen die USA verstärkt die Kooperation mit Südkorea, Taiwan und Japan.
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