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Intel-Halbleiterfertigung:
10 nm Super Fin soll es richten

Fast 20 Prozent besser als Intels bisherige 10-nm- Halbleiterfertigung : Das Resultat ist über 1 GHz mehr Takt.
/ Marc Sauter
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Ein 10-nm-Super-Fin-Transistor (Bild: Intel)
Ein 10-nm-Super-Fin-Transistor Bild: Intel

Auf dem Architecture Day 2020(öffnet im neuen Fenster) hat Intel zwei überarbeitete 10-nm-Verfahren (P1274) vorgestellt, um damit kommende (Grafik)prozessoren für Desktops, Notebooks und Server zu produzieren: Mit den als 10 nm Super Fin und 10 nm Enhanced Super Fin bezeichneten Nodes sollen die seit Jahren anhaltenden Fertigungsprobleme endlich Geschichte sein.

Von Beginn an verlief der Umstieg von 14 nm auf 10 nm nicht wie geplant, so dass Intel die Serienfertigung immer weiter nach hinten verschieben musste und die Ausbeute (Yield) an funktionsfähigen Chips seit jeher niedrig war. Das erste Design namens Cannon Lake U gelangte abseits einer CPU mit deaktivierter Grafikeinheit nie in den Massenmarkt und das zweite Design - die Ice Lake Y/U für Ultrabooks - erreicht mit bis zu 4,1 GHz nicht ansatzweise die geplanten Taktraten.

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