Innoscience: Infineon verklagt chinesischen Konzern wegen Patent
Infineon hat vor einem US-Gericht Patentklage gegen das chinesische Unternehmen Innoscience wegen einer Halbleitertechnologie eingereicht. Das gab der deutsche Chiphersteller am 14. März 2024 bekannt. Infineon(öffnet im neuen Fenster) erklärte, man strebe eine einstweilige Verfügung wegen Verletzung eines US-Patents zu Galliumnitrid-Technologie (GaN) an, die für GaN-Leistungshalbleiter unerlässlich sei.
Die Klage wurde über die Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria beim Bezirksgericht im Northern District of California eingebracht.
Infineon wirft Innoscience vor, das US-Patent durch GaN-Transistoren für Anwendungen in der Automobilindustrie, in Rechenzentren, für Solartechnik oder bei Antrieben in der Unterhaltungselektronik zu verletzen.
Galliumnitrid mit hohen Schaltgeschwindigkeiten und Problemen bei hohen Leistungen
Innoscience mit Hauptsitz in Suzhou einer westlich von Shanghai gelegenen Stadt, gilt als weltweit größter Anbieter von 8-Zoll-GaN-on-Silicon-Wafern mit zwei Fabs, die diskrete und integrierte GaN-Produkte liefern. Das Unternehmen wurde im Dezember 2015 gegründet. Zu den Investoren gehörte in den ersten Jahren ARM, weiterhin ist die südkoreanische SK Telecom neben chinesischen Investoren bei Innoscience engagiert.
Adam White, Division President Power & Sensor Systems bei Infineon sagte: "Wir schützen unser geistiges Eigentum mit Nachdruck." Am 24. Oktober 2023 schloss Infineon die Übernahme des kanadischen Halbleiterherstellers GaN Systems GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar ab. "Infineon war schon vor der Übernahme von GaN Systems in Besitz des Patents" , sagte ein Infineon-Sprecher Golem.de auf Anfrage.
Galliumnitrid (GaN) ermöglicht noch höhere Schaltgeschwindigkeiten als SiC. GaN-Wafer lassen sich zudem einfacher und günstiger herstellen. Das Potenzial von Galliumnitrid ist noch größer als von Siliziumcarbid. Für hohe Leistungen ist GaN aber noch im Forschungsstadium. Galliumnitrid entwickelt sich laut Infineon neben Silizium und Siliziumcarbid zu einem entscheidenden Material für Leistungshalbleiter.