Hochfrequenz-Leistungsverstärker: NXP hat 5G-Fab fertig
NXP hat den Bau einer 150-mm-Fab für 5G-Designs(öffnet im neuen Fenster) abgeschlossen. Das Halbleiterwerk steht im US-Bundesstaat Arizona in Chandler und soll bis Ende 2020 seine volle Fertigungskapazität erreichen. NXP nutzt Galliumnitrid, um damit Hochfrequenz-Leistungsverstärker (RF Power Amplifier) zu produzieren.
Das ist wichtig, da mit 5G die Funkfrequenzen deutlich angestiegen sind – bei 4G (LTE) hören sie viel früher auf. Laut NXP sind 3,5 GHz typisch für 5G und 1,8 bis 2,1 GHz für LTE. Halbleiter aus Galliumnitrid können solche Frequenzen auch bei niedrigen Spannungen erreichen, womit schlussendlich die passenden Antennen mit ihren 32 oder 64 Elementen angetrieben werden. Ziel ist es, die Energiemenge für jedes übertragene Bit zu reduzieren, da mit 5G die Menge an Daten exponentiell steigt.
Gedacht sind die Hochfrequenz-Leistungsverstärker für 5G-Basisstationen sowie fortschrittliche Kommunikationsinfrastruktur in der Luftfahrt, zudem in der allgemeinen und der Verteidigungsindustrie. Während mittelfristig der 5G-Markt von der 150-mm-Fab mit Galliumnitrid basierten Hochfrequenz-Leistungsverstärkern bedient werden soll, sprich NXP langfristig auch von Technik für die 6G-Nachfolgetechnik.
Der US-Bundesstaat Arizona und insbesondere Chandler ist ein gefragter Standort für Fabs innerhalb der Vereinigten Staaten: Neben NXP unterhält dort Intel gleich vier Werke für x86-Prozessoren, welche wie die einst unter Barack Obama angekündigte Fab 42 teils für 10-nm- und 7-nm-Verfahren ausgelegt sind. Everspin produziert MRAM in einer Fab in Chandler und Microchip(öffnet im neuen Fenster) hat dort sein Hauptquartier. Zudem befindet sich dort auch ein Standort von Northrop Grumman(öffnet im neuen Fenster), einem der weltweit größten Hersteller von Rüstungstechnik.
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