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Halbleiterfertigung: Samsung verdreifacht EUV-Kapazität

Die Fab V1 im südkoreanischen Hwaseong ist fertig: Samsung Foundry nimmt dort die Produktion von Chips mit 7-nm-EUV-Technik und feiner auf, bis Ende 2020 soll die dreifache Fertigungskapazität verfügbar sein.

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Gebäude der Line V1 im südkoreanischen Hwaseong
Gebäude der Line V1 im südkoreanischen Hwaseong (Bild: Samsung)

Samsung Foundry hat die Fab V1 in Betrieb genommen. Das Werk im südkoreanischen Hwaseong ist für die Halbleiterfertigung von Chips mit extrem ultravioletter Strahlung (EUV) ausgelegt. Die Fab V1 ergänzt die Fab S1 und die Fab S3, die ebenfalls beide in Südkorea stehen, und ist für 7 nm (7LPP) und feiner gedacht.

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Mit dem Bau der Fab V1 - kurz für Semiconductor Fabrication Plant Line V1 - wurde Anfang 2018 begonnen, nun hat Samsung die Serienproduktion gestartet. Die Produktionskapazität fällt hoch aus, denn die Südkoreaner wollen bis Ende 2020 den Ausstoß an EUV-Wafern um das Dreifache steigern. Vorerst sollen Chips mit 7LPP und 6LPP gefertigt werden, das Werk ist allerdings auch für 5LPE/4LPE und 3GAE ausgelegt. Mit tatsächlichen Nanometern haben die Bezeichnungen wenig zu tun, dennoch steigt die Transistordichte für kompaktere Dies und die Effizienz sowie die mögliche Schaltfrequenz werden erhöht.

Mit dem Wechsel von 7LPP (7 nm Low Power Plus) zu 5LPE (5 nm Low Power Early) etwa sollen Chips um bis zu 20 Prozent schneller takten oder bis zu 10 Prozent sparsamer sein und um bis zu 20 Prozent kleiner ausfallen. Dabei gilt, dass 6LPP sowie 5LPE und 4LPE auf 7LPP basieren und abgeleitete sowie IP-kompatible Nodes sind. Erst der 3GAE-Knoten soll dann signifikante Verbesserungen wie eine um 50 Prozent geringere Leistungsaufnahme ermöglichen.

Bisher verwendet Samsung den 7LPP-Node für den eigenen Exynos 990 und den Snapdragon 765 von Qualcomm, beide SoCs sind für Smartphones gedacht. Unbestätigten Angaben zufolge sind weitere Designs unter anderem von Huawei und Nvidia in Arbeit, für 5 nm ist offenbar erneut Qualcomm ein Kunde von Samsung.

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